[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法无效
申请号: | 201110387774.0 | 申请日: | 2011-11-29 |
公开(公告)号: | CN102437178A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 张洪亮;万青;竺立强;吴国栋;肖惠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法,该薄膜晶体管的栅极是具有立体结构的导电材料,沿着与其长度方向平行的中心轴线,该导电材料呈中心轴对称结构;该导电材料的一端作为栅极接触部分,其余部分的外围包覆着栅极介质层,栅极介质层外围包覆着导电沟道层,源极和漏极分别设置在导电沟道层外围。与现有的平面型薄膜晶体管相比,本发明提供的薄膜晶体管呈立体包覆结构,具有成本低廉、制作简单、携带方便、操作灵活的优点,能够直接用于气体、液体化学物质和生物材料等的探测和鉴别,具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括栅极、栅极介质层、导电沟道层、源极和漏极,其特征是:所述的栅极是具有立体结构的导电材料,沿与其长度方向平行的中心轴线,该导电材料呈中心轴对称结构;沿其长度方法,所述的导电材料的一端作为栅极接触部分;所述的栅极介质层包覆在所述栅极的除栅极接触部分以外其余部分的外围;所述的导电沟道层包覆在栅极介质层外围;所述的源极和漏极分别设置在导电沟道层外围。
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