[发明专利]浅沟槽隔离的制作方法

摘要

本发明涉及一种浅沟槽隔离的制作方法，在硅片上依次沉积衬垫氧化层、衬垫氮化层、氧化物硬模和氮化物硬膜；形成贯穿硅片上所述结构和部分硅片的浅沟槽；腐蚀氮化物硬膜、氧化物硬模和衬垫氮化层；在上述结构表面沉积氧化膜；在浅沟槽内填充绝缘介质，形成绝缘介质层，化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构。本发明采用氮化物硬膜作为浅沟槽隔离刻蚀的硬掩膜，氧化物硬模作为氮化物硬膜的应力释放层以及腐蚀衬垫氮化层的牺牲层，从而减少衬垫氮化层的初始厚度、降低应力，进而减少衬垫氧化层的厚度，改善浅沟槽隔离凹坑的形貌。

主权项

一种浅沟槽隔离的制作方法，包括以下步骤：在硅片上依次沉积衬垫氧化层、衬垫氮化层、氧化物硬模和氮化物硬膜；刻蚀氮化物硬膜形成用于后续制作浅沟槽的刻蚀窗口；刻蚀所述刻蚀窗口内的氧化物硬模、衬垫氮化层、衬垫氧化层和部分硅片形成浅沟槽；对氮化物硬膜、氧化物硬模和衬垫氮化层进行腐蚀，去除氮化物硬膜和氧化物硬模，缩小衬垫氮化层的轮廓；在上述结构表面沉积一层氧化膜；在浅沟槽内填充绝缘介质，形成绝缘介质层，再化学机械研磨绝缘介质层和氧化膜，停留在衬垫氮化层上；去除衬垫氮化层和衬垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。