[发明专利]一种晶圆级的封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110290446.9 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN103000537A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 薛彦迅;黄平;何约瑟;哈姆扎·耶尔马兹;鲁军;鲁明联 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/00
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 美国加利福尼亚州94*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明一般涉及一种半导体器件的封装体及其制备方法,更确切的说,本发明涉及一种在晶圆级封装技术中,将芯片进行整体封装而使其并无裸露在塑封料之外的封装结构及其制备方法。在本发明所提供的晶圆级封装结构中,利用重分布技术将分布在芯片顶面的焊垫重新布局设计成位于覆盖芯片的顶部绝缘介质层中的排列焊点,并通过形成在硅衬底中的通孔及通孔中填充的金属材料,将芯片顶面的一些电极或信号端子连接到位于芯片底面的底面电极金属层上。并且晶圆级封装结构中所包含的顶部塑封体与底部塑封体能较好的将芯片无缝隙的密封,形成良好的机械保护和电气保护。
搜索关键词: 一种 晶圆级 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种晶圆级封装的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一包含有多个芯片的晶圆,在晶圆的正面形成凸出于晶圆正面并电性连接至芯片焊垫的焊料凸块,塑封所述晶圆的正面,以第一塑封层包覆晶圆的正面及焊料凸块;于晶圆的背面进行研磨;于减薄后的晶圆的背面对晶圆进行切割,形成隔离芯片的切割槽,并且切割槽停止在第一塑封层中;于减薄后的晶圆的背面对晶圆进行塑封,形成包覆减薄后的晶圆的背面的第二塑封层,同时塑封料还填充在切割槽中;研磨第一塑封层以将焊料凸块在减薄后的第一塑封层中予以外露;于所述切割槽中进行切割,将芯片进行分离,所述第一塑封层及第二塑封层包覆所述分离的芯片,所述焊料凸块在减薄后的第一塑封层中予以外露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司,未经万国半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110290446.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top