[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110265405.4 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102420242A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/36;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，其具备第1主电极、设在第1主电极上的第1半导体层、设在第1半导体层上的第1导电型基极层、设在第1导电型基极层上的第2导电型基极层、设在第2导电型基极层上的第1导电型的第2半导体层、栅极绝缘膜、栅极电极、和第2主电极。栅极绝缘膜设在贯通第2导电型基极层而达到第1导电型基极层的沟槽的侧壁上，栅极电极设在沟槽内的栅极绝缘膜的内侧。上述第2半导体层的最大杂质浓度是上述第2导电型基极层的最大杂质浓度的10倍以内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1主电极；第1半导体层，设在上述第1主电极上；第1导电型基极层，设在上述第1半导体层上；第2导电型基极层，设在上述第1导电型基极层上；第1导电型的第2半导体层，设在上述第2导电型基极层上；栅极绝缘膜，设在贯通上述第2导电型基极层而达到上述第1导电型基极层的沟槽的侧壁上；栅极电极，设在上述沟槽内的上述栅极绝缘膜的内侧；以及第2主电极，设在上述第2半导体层上，与上述第2半导体层电气连接，上述第2半导体层的最大杂质浓度是上述第2导电型基极层的最大杂质浓度的10倍以内。
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