[发明专利]一种对多位半导体存储器进行编程的方法无效
| 申请号： | 201110256582.6 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969022A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对多位半导体存储器进行编程的方法，涉及半导体存储器技术领域。该方法包括：对多位半导体存储器内所有存储单元进行复位操作；执行第一轮编程操作，将该多位半导体存储器内所有存储单元的阈值电压编程至比该存储单元所指定的阈值电压低0.5伏的电压范围内；以及执行第二轮编程操作，将该多位半导体存储器内所有存储单元的阈值电压编程至比该存储单元所指定的指定阈值电压正负0.05伏的电压范围内。利用本发明，有效的解决了存储器复位速度和复位精度之间的矛盾，一方面提高了存储器的复位速度，另一方面使得复位后的存储单元阈值电压分布范围大大减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对多位半导体存储器进行编程的方法，其特征在于，该方法包括：对多位半导体存储器内所有存储单元进行复位操作；执行第一轮编程操作，将该多位半导体存储器内所有存储单元的阈值电压编程至比该存储单元所指定的阈值电压低0.5伏的电压范围内；以及执行第二轮编程操作，将该多位半导体存储器内所有存储单元的阈值电压编程至比该存储单元所指定的指定阈值电压正负0.05伏的电压范围内。
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