[发明专利]半导体装置及其检测方法和电子设备有效
| 申请号： | 201110254113.0 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102386320A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 太田将之;辰巳正毅;曾田义树;玉置和雄;山口真司;原田昌道;伊藤晋;木村公士;稻田顺史 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L23/48;H01L23/498;G01R31/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件，包括：衬底正面电极，形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极；衬底背面电极，形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极；和多个连接电极，在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧，用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极，其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 检测 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种具有在绝缘衬底上实现的半导体元件的半导体装置，该半导体装置包括：衬底正面电极，形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极；衬底背面电极，形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极；和多个连接电极，在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧，用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极，其中，所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。
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