[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110242892.2 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102386215A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 石井裕二;指宿勇二;田中秀树;葛西宪太郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：第一晶体管，其形成于半导体基板上；和第二晶体管，其隔着绝缘层而形成于半导体基板上方。第一晶体管包括：第一主体区，其形成于半导体基板的表面上；以及第一源极区和第一漏极区，它们形成为夹着第一主体区。第二晶体管包括：半导体层，其形成于绝缘层上；第二主体区，其形成于半导体层的一部分中；第二源极区和第二漏极区，它们形成为夹着半导体层中的第二主体区；栅极绝缘膜，其形成于半导体层的所述主体区上；以及栅极，其形成于栅极绝缘膜上，并且第二漏极区布置在第一主体区上。即使在对本发明的装置使用交流电时，仍可抑制半导体装置的耐压的下降而不需增加该装置的单元面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该装置包括形成于半导体基板上的第一晶体管和隔着绝缘层而形成于所述半导体基板上方的第二晶体管，其中，所述第一晶体管包括：第一主体区，其形成于所述半导体基板的表面上；以及第一源极区和第一漏极区，它们形成为夹着所述第一主体区，所述第二晶体管包括：半导体层，其形成于所述绝缘层上；第二主体区，其形成于所述半导体层的一部分中；第二源极区和第二漏极区，它们形成为夹着所述半导体层中的所述第二主体区；栅极绝缘膜，其形成于所述半导体层的所述主体区上；以及栅极，其形成于所述栅极绝缘膜上，所述第二漏极区布置在所述第一主体区上，所述第二主体区布置在所述第一漏极区上，在所述绝缘层的位于所述第一漏极区和所述第二主体区之间的部分中形成有连接层，并且所述第二漏极区还用作所述第一晶体管的栅极。
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