[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 201110241197.4 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102623498A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;藤本英俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体元件具备：第1半导体层，在支承基板上N面生长，包含AlXGa1-XN(0≤X＜1)；第2半导体层，形成在上述第1半导体层上，包含无掺杂或第1导电型的AlYGa1-YN(0＜Y≤1，X＜Y)；以及第3半导体层，形成在上述第2半导体层上，包含AlZGa1-ZN(0≤Z＜1，Z＜Y)。实施方式的半导体元件具备与上述第3半导体层连接的第1主电极、与上述第3半导体层连接的第2主电极、以及设置在上述第1主电极与上述第2主电极之间的上述第3半导体层之上的栅极电极。上述第3半导体层的厚度在上述栅极电极下选择性地变薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，具备：第1半导体层，在支承基板上N面生长，包含AlXGa1‑XN，其中0≤X＜1；第2半导体层，形成在上述第1半导体层上，包含无掺杂或第1导电型的AlYGa1‑YN，其中0＜Y≤1，X＜Y，第3半导体层，形成在上述第2半导体层上，包含AlZGa1‑ZN，其中0≤Z＜1，Z＜Y；第1主电极，与上述第3半导体层连接；第2主电极，与上述第3半导体层连接；以及栅极电极，设置在上述第1主电极与上述第2主电极之间的上述第3半导体层上；上述第3半导体层的厚度在上述栅极电极下选择性地变薄。
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