[发明专利]提高光刻胶膜与衬底表面粘合度的装置及其应用方法无效
申请号: | 201110206421.6 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102430495A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 毛智彪;戴韫青;王剑 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | B05C5/00 | 分类号: | B05C5/00;B05D5/08;B05D3/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种提高光刻胶膜与衬底表面粘合均匀度的装置,包括反应室,其特征在于,在反应室上方设有改性剂的主喷嘴,在反应室侧壁上设有用于喷射改性剂的可以调节位置和喷嘴方向的辅助喷嘴,所述主喷嘴正下方设有放置衬底硅片的加热台,所述反应室底部设有排气口。本发明提供的提高光刻胶膜与衬底表面粘合度的装置,在反应室内安装多个可调节的喷头,可以将粘度改性剂充分、均匀得覆盖在整个衬底硅片表面。利用粘度改性剂,改善衬底硅片表面粘合性的均匀度,有效地提高光刻胶膜与衬底表面的粘合度。 | ||
搜索关键词: | 提高 光刻 胶膜 衬底 表面 粘合 装置 及其 应用 方法 | ||
【主权项】:
一种提高光刻胶膜与衬底表面粘合均匀度的装置,包括反应室,其特征在于,在反应室上方设有改性剂的主喷嘴,在反应室侧壁上设有用于喷射改性剂的可以调节位置和喷嘴方向的辅助喷嘴,所述主喷嘴正下方设有放置衬底硅片的加热台,所述反应室底部设有排气口。
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