[发明专利]一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件

摘要

本发明公开了一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件，在第二P+注入区与第二N+注入区之间的P型衬底上，加入一块不接任何电位的第二N阱，可以有效地增加寄生NPN型三极管的纵向基区宽度。本发明利用内嵌P型MOS管的可控硅特有的低电压开启特性做到了可控硅的低电压开启，适用于大部分电路的ESD防护要求；同时，利用增加电位浮空N阱的方式做到了提高可控硅钳位电压的目的；此外，相比传统的单纯依靠拉伸三极管横向基区宽度的方法，本发明提供的可控硅器件面积上更有效率，更节省硅片面积与生产成本，是一种经济有效的低工作电压域电路ESD防护方案。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。

主权项

一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件，包括P型衬底(21)，其特征在于：所述的P型衬底(21)上依次设有第一N阱(22)、第二N阱(23)、第二N+注入区(28)和第三P+注入区(29)，第一N阱(22)上依次设有第一N+注入区(24)、第一P+注入区(25)和第二P+注入区(27)，在第一P+注入区(25)和第二P+注入区(27)之间跨接有一多晶硅栅氧化层(26)，第二P+注入区(27)的一侧延伸超出所述的P型衬底(21)和第一N阱的交界处(22)，跨接在所述的P型衬底(21)上，第二P+注入区(27)在所述的P型衬底(21)上的一侧紧靠第二N阱(23)的一侧，第二N阱(23)的另一侧紧靠第二N+注入区(28)；第一N+注入区(24)、第一P+注入区(25)和所述的多晶硅栅氧化层(26)均接电学阳极，第二N+注入区(28)和第三P+注入区(29)均接电学阴极，所述的第二N阱(23)不与任何电学电位相接，处于电位浮空状态。