[发明专利]多谐振荡器电路和电压转换电路无效

专利信息
申请号: 201110147235.X 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN102281048A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 外野隆史 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H03K3/354 分类号: H03K3/354;H02M3/07
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 周少杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开提供了一种多谐振荡器电路和电压转换电路。所述多谐振荡器电路包含:第一场效应晶体管;第二场效应晶体管;第一电阻;第二电阻;第三电阻;第四电阻;第一电容器;第二电容器;以二极管方式连接的第三场效应晶体管;和以二极管方式连接的第四场效应晶体管。
搜索关键词: 多谐振荡器 电路 电压 转换
【主权项】:
一种多谐振荡器电路,包含:第一场效应晶体管,其具有连接至地电位的源极;第二场效应晶体管,其具有连接至所述地电位的源极;第一电阻,其连接在所述第一场效应晶体管的漏极和电源电压的供应源之间;第二电阻,其连接在所述第二场效应晶体管的漏极和电源电压的供应源之间;第三电阻,其连接在所述第二场效应晶体管的栅极和电源电压的供应源之间;第四电阻,其连接在所述第一场效应晶体管的栅极和电源电压的供应源之间;第一电容器,其连接在所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的栅极之间,并与所述第三电阻形成积分电路;第二电容器,其连接在所述第二场效应晶体管的漏极和所述第一场效应晶体管的栅极之间,并与所述第四电阻形成积分电路;以二极管方式连接的第三场效应晶体管,其连接在所述第一场效应晶体管的栅极和所述地电位之间;以及以二极管方式连接的第四场效应晶体管,其连接在所述第二场效应晶体管的栅极和所述地电位之间。
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