[发明专利]多谐振荡器电路和电压转换电路无效
申请号: | 201110147235.X | 申请日: | 2011-06-02 |
公开(公告)号: | CN102281048A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 外野隆史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H03K3/354 | 分类号: | H03K3/354;H02M3/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 周少杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了一种多谐振荡器电路和电压转换电路。所述多谐振荡器电路包含:第一场效应晶体管;第二场效应晶体管;第一电阻;第二电阻;第三电阻;第四电阻;第一电容器;第二电容器;以二极管方式连接的第三场效应晶体管;和以二极管方式连接的第四场效应晶体管。 | ||
搜索关键词: | 多谐振荡器 电路 电压 转换 | ||
【主权项】:
一种多谐振荡器电路,包含:第一场效应晶体管,其具有连接至地电位的源极;第二场效应晶体管,其具有连接至所述地电位的源极;第一电阻,其连接在所述第一场效应晶体管的漏极和电源电压的供应源之间;第二电阻,其连接在所述第二场效应晶体管的漏极和电源电压的供应源之间;第三电阻,其连接在所述第二场效应晶体管的栅极和电源电压的供应源之间;第四电阻,其连接在所述第一场效应晶体管的栅极和电源电压的供应源之间;第一电容器,其连接在所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的栅极之间,并与所述第三电阻形成积分电路;第二电容器,其连接在所述第二场效应晶体管的漏极和所述第一场效应晶体管的栅极之间,并与所述第四电阻形成积分电路;以二极管方式连接的第三场效应晶体管,其连接在所述第一场效应晶体管的栅极和所述地电位之间;以及以二极管方式连接的第四场效应晶体管,其连接在所述第二场效应晶体管的栅极和所述地电位之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110147235.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种地漏
- 下一篇:一种新型LED灯驱动电源的PCB电路板
- 同类专利
- 用于驱动半导体装置的方法-201580012324.X
- 冈本佑树;黑川义元 - 株式会社半导体能源研究所
- 2015-02-25 - 2019-05-28 - H03K3/354
- 提供一种新颖的PLL。振荡器电路包括:第一至第n反相器;第一电路;以及第二电路。第一及第二电路的第一端子与第i反相器的输出端子电连接。第一及第二电路的第二端子与第i+1反相器的输入端子电连接。第一电路具有储存第一数据、在以下两者之间切换的功能:第一端子与第二端子电连接;以及将第一端子与第二端子之间的电阻设定为基于第一数据的值。第二电路具有储存第二数据、在以下两者之间切换的功能:第一端子与第二端子彼此电断开;以及将第一端子与第二端子之间的电阻设定为基于第二数据的值。
- 自偏置振荡器-201280071591.0
- T·苏梅萨拉姆 - 英特尔公司
- 2012-03-19 - 2018-07-10 - H03K3/354
- 在本文描述了自偏置振荡器。自偏置振荡器包括:具有可调节电阻或电容的第一微分器,第一微分器具有输出节点和输入节点;以及具有可调节电阻或电容的第二微分器,第二微分器具有耦合到第一微分器的输出节点的输入节点并具有耦合到第一微分器的输入节点的输出节点。
- 一种采用小电容大电阻的多谐振荡器电路-201420506830.7
- 伍明华 - 华南理工大学
- 2014-09-03 - 2014-12-31 - H03K3/354
- 本实用新型公开了一种采用小电容大电阻的多谐振荡器电路,包括高阻抗运算放大器、负反馈电阻、第一正反馈电阻、第二正反馈电阻和电容器;负反馈电路由负反馈电阻和电容器组成,正反馈电路由第一正反馈电阻和第二正反馈电阻组成;高阻抗运算放大器的负极分别与负反馈电阻和电容器的一端连接;高阻抗运算放大器的正极分别与第一正反馈电阻和第二正反馈电阻的一端连接,电容器的另一端和第二正反馈电阻的另一端分别接地;第一正反馈电阻的另一端和负反馈电阻的另一端都与运算放大器的输出端连接。本实用新型电路具有容易起振、振荡频率稳定的特点,并易于通过改变其电容的大小来改变其振荡频率的高低。
- 注入锁定分频器、以及锁相环电路-201180001435.2
- 岛高广;佐藤润二;小林真史 - 松下电器产业株式会社
- 2011-01-21 - 2012-02-15 - H03K3/354
- 提供了能够减小寄生电容的影响,工作频率为宽带的注入锁定分频器以及PLL电路。注入锁定分频器(100)包括:环形振荡器(140),环状地三级级联了由N沟道MOS型晶体管(111)和P沟道MOS型晶体管(112)构成的第1放大电路(141)、同样结构的第2放大电路(142)和第3放大电路(143);N沟道MOS型晶体管(150),其漏极连接到各级的N沟道MOS型晶体管(111、121、131)的源极;以及差分信号注入电路(160),将注入信号(I1)注入到各级的P沟道MOS型晶体管(112、122、132)的栅极,并且将注入信号(I1)的反相信号作为差分信号注入到N沟道MOS型晶体管(150)的栅极。
- 多谐振荡器电路和电压转换电路-201110147235.X
- 外野隆史 - 索尼公司
- 2011-06-02 - 2011-12-14 - H03K3/354
- 本公开提供了一种多谐振荡器电路和电压转换电路。所述多谐振荡器电路包含:第一场效应晶体管;第二场效应晶体管;第一电阻;第二电阻;第三电阻;第四电阻;第一电容器;第二电容器;以二极管方式连接的第三场效应晶体管;和以二极管方式连接的第四场效应晶体管。
- 电流-电容充放电片上振荡器-200910057710.7
- 袁志勇 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2009-08-06 - 2011-03-23 - H03K3/354
- 本发明公开了一种电流-电容充放电片上振荡器,使用移位计数器组来实现可调电流匹配比例下的动态单元匹配,同时振荡器输出的振荡信号用于移位计数器的时钟输入,在可调电流匹配比例下实现更高精度的电流匹配,提高频率步进精度。
- 专利分类