专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]输出控制电路-CN201610340029.3在审
  • 秋月泰司;岛高广 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2016-05-20 - 2017-01-11 - H03B19/14
  • 增益控制电路(18)包括:使基频放大单元(11)的增益和N倍频频率放大单元(14)的增益变动的增益切换控制单元(183);以及判定N倍频单元(13)的动作状态是饱和动作或是线性动作的检波电压比较单元(181)。检波电压比较单元(181)通过比较对基频放大单元(11)的增益的变动量的基频信号的检波信号(第1检波信号)的变动量和对基频放大单元(11)的增益的变动量的N倍频频率信号的检波信号(第2检波信号)的变动量,判定N倍频单元(13)的动作状态。增益切换控制单元(183)基于N倍频单元(13)的动作状态,调整基频放大单元(11)的增益和N倍频频率放大单元(14)的增益。
  • 输出控制电路
  • [发明专利]注入锁定奇数分频器、以及锁相环电路-CN201410081843.9有效
  • 岛高广;佐藤润二;小林真史 - 松下电器产业株式会社
  • 2011-01-21 - 2014-08-20 - H03K3/2885
  • 本发明提供了注入锁定奇数分频器以及PLL电路。注入锁定奇数分频器包括:第1环形振荡器,环状地(2n+1)级级联了包含N沟道金属氧化物半导体型晶体管和P沟道金属氧化物半导体型晶体管的放大电路;第2环形振荡器,环状地(2n+1)级级联了包含N沟道金属氧化物半导体型晶体管和P沟道金属氧化物半导体型晶体管的放大电路;电流源,其由N沟道金属氧化物半导体型晶体管构成,分别与第1环形振荡器以及第2环形振荡器连接,分别驱动第1环形振荡器以及第2环形振荡器;以及差分信号注入电路,将注入信号输出到第1环形振荡器的P沟道金属氧化物半导体型晶体管的栅极,将注入信号的反相信号作为差分信号输出到第2环形振荡器的P沟道金属氧化物半导体型晶体管的栅极。
  • 注入锁定奇数分频器以及锁相环电路
  • [发明专利]注入锁定分频器、以及锁相环电路-CN201180001435.2有效
  • 岛高广;佐藤润二;小林真史 - 松下电器产业株式会社
  • 2011-01-21 - 2012-02-15 - H03K3/354
  • 提供了能够减小寄生电容的影响,工作频率为宽带的注入锁定分频器以及PLL电路。注入锁定分频器(100)包括:环形振荡器(140),环状地三级级联了由N沟道MOS型晶体管(111)和P沟道MOS型晶体管(112)构成的第1放大电路(141)、同样结构的第2放大电路(142)和第3放大电路(143);N沟道MOS型晶体管(150),其漏极连接到各级的N沟道MOS型晶体管(111、121、131)的源极;以及差分信号注入电路(160),将注入信号(I1)注入到各级的P沟道MOS型晶体管(112、122、132)的栅极,并且将注入信号(I1)的反相信号作为差分信号注入到N沟道MOS型晶体管(150)的栅极。
  • 注入锁定分频器以及锁相环电路

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