[发明专利]半导体元件处理方法和半导体元件处理装置有效
| 申请号： | 201080061978.9 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102714166A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 三保谷拓史 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够缩短处理时间并从半导体元件除去树脂制粘接剂的半导体元件处理方法。该IC芯片（4）的处理方法是为了对IC芯片进行再使用而从IC芯片除去ACF（6）的IC芯片的处理方法，包括将附着有ACF的IC芯片浸渍于热浓硫酸（11）的工序、将IC芯片浸渍于常温的浓硫酸（21）的工序、将IC芯片浸渍于常温的稀硫酸（31）的工序和对IC芯片进行水洗的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体元件处理方法，其特征在于：其是为了对半导体元件进行再使用而从所述半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理方法，包括：将附着有所述树脂制的粘接剂的所述半导体元件浸渍于至少含有浓硫酸的已被加热的酸液的工序；将所述半导体元件浸渍于常温的硫酸的工序；和对所述半导体元件进行水洗的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
