[发明专利]非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件有效
申请号: | 201080052404.5 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102668077A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 加藤清;小山润 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/00;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/786;H03K3/037;H03K3/356;H03K19/00;H03K19/0948;H03K1 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为了提供新颖的非易失性锁存电路和使用该非易失性锁存电路的半导体器件,非易失性锁存电路包括:具有环形结构的锁存部分,其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入,且第二元件的输出电连接至第一元件的输入;以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中,使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外,包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管,被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。 | ||
搜索关键词: | 非易失性锁存 电路 逻辑电路 以及 使用 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种非易失性锁存电路,包括:锁存部分;以及用于保持所述锁存部分的数据的数据保持部分,所述锁存部分包括:第一元件;以及第二元件,其中所述第一元件的输出电连接至所述第二元件的输入,且所述第二元件的输出电连接至所述第一元件的输入,且其中,所述第一元件的输入电连接至被提供有输入信号的引线,且所述第一元件的输出电连接至被提供有输出信号的引线,所述数据保持部分包括:晶体管;以及反相器,其中所述晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体层,且其中所述晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接至被提供有所述输出信号的所述引线,所述晶体管的所述源电极和漏电极中的另一个电连接至所述反相器的输入,且所述反相器的输出电连接至被提供有所述输入信号的所述引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的