[发明专利]发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统无效
| 申请号： | 201010292671.1 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102104095A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及发光器件、发光器件封装、制造发光器件的方法和照明系统。所述发光器件可包括：第一导电半导体层、与所述第一导电半导体层相邻的有源层、以及与所述有源层相邻的第二导电半导体层。所述有源层可包括第一量子阱层、第二量子阱层、以及在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的势垒层。所述第一量子阱层包括第一多个子势垒层和第一多个子量子阱层，所述第二量子阱层可包括第二多个子势垒层和第二多个子量子阱层。所述第一量子阱层的带隙与所述第二量子阱层的带隙不同。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 制造 方法 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；与所述第一导电半导体层相邻的有源层，所述有源层包括：第一量子阱层、第二量子阱层以及在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的势垒层；和与所述有源层相邻的第二导电半导体层，其中所述第一量子阱层包括第一多个子势垒层和第一多个子量子阱层，所述第二量子阱层包括第二多个子势垒层和第二多个子量子阱层，和其中所述第一多个子势垒层的带隙与所述第二多个子势垒层的带隙不同。
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