[发明专利]金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置

摘要

本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。

主权项

一种金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：制备被处理的物体，在所述被处理的物体的表面上形成有凹部，并且在所述凹部的底部上具有布线层；在包括所述凹部内的表面在内的所述被处理的物体的表面上形成基底层；借助通过从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；以及通过对放置在所述处理容器中的载置台上的所述被处理的物体施加偏压电功率，以将等离子体和金属粒子吸向所述被处理的物体，刮削所述凹部的底部上的基底层和布线层以形成刮削凹部，并在包括所述凹部内和所述刮削凹部内的表面在内的所述被处理的物体的整个表面上沉积金属膜，其中所述刮削基底层和布线层并沉积金属膜的步骤包括：第一薄膜沉积步骤，在该步骤中，设定条件以使金属膜在除所述凹部以外的所述被处理的物体表面上的薄膜沉积量等于惰性气体等离子体的蚀刻量；以及辅助薄膜沉积步骤，在该步骤中，设定条件以在除所述凹部以外的所述被处理的物体的表面不被惰性气体等离子体蚀刻的范围内吸引金属粒子。