[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

摘要

在这里公开了半导体存储器件及其操作方法。所述半导体存储器件包括：位线和传感线；具有根据施加到位线的电压改变的数据存储状态的数据存储元件；用于控制传感线到位线的连接的第一开关；具有连接到传感线的第二数据保存节点和第一数据保存节点的数据锁存电路；和用于控制数据锁存电路的第二数据保存节点到位线的连接的第二开关。

主权项

一种半导体存储器件，包括：位线和传感线；数据存储元件，具有根据施加到所述位线的电压而变化的数据存储状态；第一开关，用于控制所述传感线到所述位线的连接；数据锁存电路，具有第二数据保存节点和连接到所述传感线的第一数据保存节点；和第二开关，用于控制所述数据锁存电路的所述第二数据保存节点到所述位线的连接；其中在数据更新时间，所述第二开关被置于导通状态，以基于出现在所述第二数据保存节点上的信息将数据更新脉冲施加到所述数据存储元件；之后，所述第一开关被置于导通状态；且然后，所述数据锁存电路通过将提供给所述第二数据保存节点的参考电位取做比较参考执行读取‑检验操作以检测出现在所述位线上的电位，且然后利用在所述读取‑检验操作之后锁存的数据作为用于确定是否需要施加下一数据更新脉冲到所述数据存储元件的信息。