[发明专利]半导体存储器件及其控制方法无效
| 申请号： | 201010228910.7 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102005241A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 石崎达也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器件及其控制方法。本发明还涉及一种具有突发读取模式和突发写入模式的半导体存储器件。一种半导体存储器件，在其中执行从和向由特定地址指定的存储器单元连续读取和连续写入具有预定长度的数据，其包括：多个存储器单元；地址输入端子，通过该地址输入端子地址被输入；数据输出端子，通过该数据输出端子具有预定长度的读取数据被输出；以及数据输入端子，通过该数据输入端子具有预定长度的写入数据被输入。部分地址输入端子也被用作数据输出端子。以此方式，在没有增加端子的数目的情况下，在相同地址连续地执行连续读取和连续写入的操作能够变得更加快速。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，在其中执行从和向由特定地址指定的存储器单元连续读取和连续写入具有预定长度的数据，所述半导体存储器件包括：多个存储器单元；地址输入端子，通过所述地址输入端子地址被输入；数据输出端子，通过所述数据输出端子具有所述预定长度的读取数据被输出；以及数据输入端子，通过所述数据输入端子具有所述预定长度的写入数据被输入，其中，部分所述地址输入端子也被用作所述数据输出端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010228910.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：隔爆兼本质安全型电源控制电路装置
- 下一篇：节能复式喷雨器
