[发明专利]以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法有效

专利信息
申请号: 201010221029.4 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN101872707A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 邵文生;李娜;王辉;杨立霞;袁海清 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十二研究所
主分类号: H01J9/04 分类号: H01J9/04
代理公司: 信息产业部电子专利中心 11010 代理人: 李勤媛
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法,属于微波真空电子器件领域,阴极基体制作按以下步骤进行操作:制备硅酸镁锂凝胶,硅酸镁锂凝胶与钨粉混合,喷雾干燥制备阴极基体粉末;压制成型;高温烧氢;同时并列制作阴极发射物质,将阴极基体浸渍发射物质。使用上述方法制备的扩散阴极发射参数一致性明显改善,效率提高10倍以上。
搜索关键词: 硅酸 作为 成型 媒介 扩散 阴极 制备 方法
【主权项】:
一种以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法,其特征在于,阴极基体制作按以下步骤进行操作:a.制备硅酸镁锂凝胶,将去离子水和硅酸镁锂粉末按100∶1~15的重量比关系混合分散成凝胶;b.按硅酸镁锂凝胶与钨粉为1~5∶1的重量比关系加入钨粉,搅拌均匀;c.采用喷雾干燥机制备阴极基体粉末;d.应用自动压机在1.5~7T/cm2压力下进行阴极基体的自动压制成型;e.在高温氢炉中进行阴极基体的烧结,烧结过程中,作为成型媒介的硅酸镁锂得到了有效去除;与a~e五步骤的同时,并列进行着a′~e′五步骤的阴极发射物质制作,它们是:a′.阴极发射物质的配制;b′.采用共沉淀法制作发射物质的沉淀悬浮液;c′.在悬浮液中按100∶1~15的重量比关系加入硅酸镁锂,分散成凝胶;d′.经过喷雾干燥机进行喷雾干燥,制备出含有硅酸镁锂的发射物质粉末;e′.应用自动压机在1.5~7T/cm2压力下进行发射物质的自动压制成型,压制后的发射物质块体可以精确定量,从而保证阴极基体浸渍量的精确;两个并列的五步骤之后,共同进入f、g步骤:f.阴极基体浸渍发射物质,将压制成型的发射物质块体放在烧结后的阴极基体上,在氢气炉中,在1600~2000℃的温度下将发射物质浸渍到阴极基体中;g.以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备完毕待用。
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