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[发明专利]一种肖特基电子源扩散锆源的制备方法及涂敷方法-CN202310892281.5在审
发明人：方琦;郑磊;梁中鼎;朱荣帅;程协;杨韬 -专利权人：安徽科昂新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基电子源扩散锆源的制备方法及涂敷方法，涉及电子源技术领域，相较于冷场发射电子源，具有锆氧涂层的肖特基电子源使用寿命更长、电子发射的能量势垒更低，且实现了电子发射时空间分辨率与稳定性之间的最佳组合。然而，扩散锆源对于肖特基电子源的性能有着直接的影响。为了提升扩散锆源本身的结构强度、减少肖特基电子源发射电子所需要等待的时间，来实现更佳的电子发射效果，我们设计了一种由乙酸异戊酯、硝化纤维素和氢化锆组成的扩散锆源浆料配方。同时为了提高涂敷的成功率，我们提供了一套解决方案包括涂敷方法和涂敷装置。最终，实现了肖特基电子源扩散锆源的高质量、高效率制备。
一种肖特基电子扩散制备方法

[发明专利]一种下部电极半再生生产工艺-CN202310852341.0在审
发明人：杨斌;韦孟德;朱应高 -专利权人：安徽高芯众科半导体有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种下部电极半再生生产工艺，涉及显示技术领域。半再生生产工艺包括以下流程：将回收来的下部电极进行拆卸，并检查受损情况；将受损的绝缘层进行剥离，漏出电极层，并将剩余部分清洗、烘干；对电极背面和侧面进行遮蔽；对电极表面进行喷砂处理，增加电极表面的粗糙度；在喷砂后的电极表面涂覆一层绝缘材料，绝缘层的厚度为500‑800μm；采用封孔剂对绝缘层进行封孔处理，并进行加热固化；除去遮蔽材料，将封孔后的绝缘层表面进行研磨，使绝缘层表面平整；在绝缘层表面进行Emboss加工，形成Emboss涂层；将修复好的下部电极真空烘干，得到半再生下部电极。本申请提供的半再生工艺可以有效恢复下部电极的性能和使用寿命。
一种下部电极再生生产工艺

[发明专利]一种石墨烯场致发射源的制备方法-CN202111198934.7有效
发明人：黄世耀;罗理;石雷;楼洪四;汪强;李腾;秦春林 -专利权人：重庆信合启越科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种石墨烯场致发射源的制备方法，本方法通过高温将含碳气体中的碳原子溶解到金属材料之中，通过阶段性降温的过程将碳析出到金属表面形成石墨烯层，并且对碳源浓度和降温过程的控制可以实现对石墨烯层厚度与规模的控制，石墨烯与其金属基底结合更加的紧密，两者之间电阻远小于通过转移后制备的发射体，在大电流通过结合部位时发热量更小，同时发射尖端露出的金属基底可以有效接收靶材反射的二次电子等，减少石墨烯发射尖端由于电子或离子回轰造成的损伤。在使用本方法制备的石墨烯场致发射源可以有效的提高阴极的发射电流密度，具有很低的开启场和阈值场，稳定性好的特点；同时，其制备方法简单、能耗低、易于实现工业化生产；在制成发射部件后功率更高，稳定性更好，寿命更长。
一种石墨烯场致发射制备方法

[发明专利]一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法-CN202111126915.3有效
发明人：郑辉;周珂;郑鹏;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；(2)在金属导电层上附着AAO模板；(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极。本发明制备工艺简单，可大面积制备，得到的阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极开启电场低，场屏蔽效应小，电流密度较大，发射稳定性高。
一种阵列垂直石墨发射阴极制备方法

[发明专利]用于微通道板的电子倍增材料、其制备、由其制备得到的微通道板及微通道板的制备方法-CN202111515815.X有效
发明人：李兴辉;李莉莉;陈海军;蔡军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于微通道板的电子倍增材料、其制备、由其制备得到的微通道板及微通道板的制备方法。以解决现有微通道板技术中，电子倍增层用的氧化物材料二次电子发射系数普遍不高，以及如何更好的将电子倍增层材料(尤其是金刚石类材料)结合在微通道板的大深宽比孔微孔中等问题。
用于通道电子倍增材料制备得到方法

[发明专利]电极激活机-CN202310671343.X在审
发明人：姚锐彬 -专利权人：东莞市恒隆光电有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明属于灯管激活技术领域，尤其涉及一种电极激活机，包括机台。机台上设有上料机构、转盘运输机构、放电机构和下料机构。上料机构位于转盘运输机构的一侧，用于运输灯管至转盘运输机构上。放电机构设置在转盘运输机构的一侧，转盘运输机构用于运输灯管至放电机构的下端，随后放电机构对灯管进行放电激活。下料机构设置在转盘运输机构的一侧，转盘运输机构依次经过上料机构、放电机构和下料机构，下料机构用于拾取转盘运输机构上已激活的灯管。上料机构将灯管移动至转盘运输机构，转盘运输机构转动将灯管移动至放电机构下端，放电机构对灯管进行高压激活，将激活好的灯管移动至下料机构的一侧，下料机构对已经充电激活的灯管进行下料。
电极激活

[发明专利]X射线球管阴极装配灯丝校准装置-CN202310386108.8在审
发明人：杜小琴;黄靖;焦婷婷 -专利权人：昆山医源医疗技术有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线球管阴极装配灯丝校准装置，包括台板、支撑架、校准镜和定位角码，台板上侧上沿其水平中心线设有第一校准线；支撑架立式设于台板上侧并用于支撑阴极底板，支撑架的水平中心线在台板上侧上的投影线与第一校准线相重合；校准镜亦立式设于台板上侧并同时与支撑架呈相对布置，校准镜上设有立式布置的第二校准线，第二校准线在台板上侧上的投影线亦与第一校准线相重合，即第一、二校准线配合对灯丝进行校准；定位角码能将阴极底板与支撑架同中心线的定位于支撑架上。该校准装置结构简单、操作简便，既可提高装配效率、装配精度和良率，还可对灯丝进行有效保护，降低对前道工序的装配精度要求，提高后续工序的装配良率。
射线阴极装配灯丝校准装置

[发明专利]一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法-CN202111478343.5有效
发明人：戴庆;李振军;刘新川;李驰;白冰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法，所述对位焊接方法借助特定的第二模具将表面生长碳纳米管的第一基底和通过第一模具涂敷有粘结层的第三基底进行对位焊接，实现了完整形貌碳纳米在阴极基底中心位置的牢固焊接，减少了碳纳米管从基底的脱落；所述对位焊接方法得到的碳纳米管冷阴极电子源具有高稳定性和长工作寿命，并且为X射线管和微波管等真空器件内的电子源的电子束方向控制提供了便利。
一种纳米阴极电子及其对位焊接方法

[发明专利]一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法-CN202310231436.0在审
发明人：李笑笑;刘建红;赵新生 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法，将生长有三棱柱状SiC纳米线的碳纤维布覆盖在装有CoCl2粉末的石英舟上方，利用化学气相沉积的方法，在管式炉中实现基体三棱柱状SiC纳米线表面沉积催化剂CoO，然后对获得的碳纤维布衬底进行第二次高温热解处理，得到生长有SiC枝晶阵列的碳纤维布，作为场发射器阴极材料。本发明首次利用定向生长的高密度SiC枝晶阵列作为场发射阴极材料，能够在降低电子发射开启电场的同时获得稳定的发射电流，表现出优异的场发射性能。
一种高密度 sic 阵列发射阴极材料及其制备方法

[发明专利]速调管电子枪薄壁侧热屏零件制造方法-CN201710443472.8有效
发明人：史海如;周红艳 -专利权人：湖北汉光科技股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种速调管电子枪薄壁侧热屏零件制造方法，所述薄壁侧热屏零件包括第一圆柱形直筒、第二圆柱形直筒及连接所述第一圆柱形直筒和所述第二圆柱形直筒的过渡圆台筒；采用本发明制造方法进行加工，不需要用多次复杂的冲压引伸方法，节省了多套引伸模，只需要简单的点焊模，在加工过程中不会造成零件的报废；避免了薄壁零件多次冲压引伸，有效地降低了电子枪零件的加工难度，缩短了试制周期、降低了制造成本，且提高了零件的成品率。
速调管电子枪薄壁侧热屏零件制造方法

[发明专利]气体放电管的制备方法、气体放电管及过压保护装置-CN202310171565.5在审
发明人：王炎林;胡勇;王旭明 -专利权人：深圳市瑞隆源电子有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种气体放电管的制备方法、气体放电管及过压保护装置，涉及放电管技术领域。该制备方法包括：获取两个电极，采用化学气相沉积法在两个所述电极对应的放电面上沉积得到电子发射薄膜；获取一绝缘管体，将所述沉积得到电子发射薄膜的两个电极分别组装于所述绝缘管体的两端，对所述绝缘管体进行抽真空处理；向所述抽真空处理后的绝缘管体内通入绝缘气体，将两个所述电极分别与所述绝缘管体进行气密性封结。本申请提供的气体放电管的制备方法，使得电子发射薄膜与电极的放电面稳固地粘接，能够避免电极出现电子粉脱落和溅射的现象，使得气体放电管的电性能得到有效提升。
气体放电制备方法保护装置

[发明专利]冷阴极尖锥及其制备方法、冷阴极尖锥阵列及其制备方法-CN202310160127.9有效
发明人：王波;陈永江;王倚妮;林科杰;罗相萍;井伟;郑红举;华剑锋;戴锋;李立国 -专利权人：四川新能源汽车创新中心有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及冷阴极尖锥技术领域，具体涉及一种冷阴极尖锥及其制备方法、冷阴极尖锥阵列及其制备方法。冷阴极尖锥的制备方法，包括以下步骤：利用电镜发出的束流轰击工件表面，在所述工件的表面沿着深度方向加工出环形凹槽，所述环形凹槽的内部形成柱体；在所述柱体的顶端至底端方向上，利用电镜发出的束流对所述柱体进行逐层加工，且电镜发出束流的能量强度先增加后降低，得到冷阴极尖锥。本发明采用双束电镜制备冷阴极尖锥，可实现原位的加工和检测的一体化，成品率高。
阴极及其制备方法阵列

[发明专利]一种大功率气体放电灯电极弹簧的制造方法-CN201910214605.3有效
发明人：徐丽娜;奚蓓蕾;施健;胡晓 -专利权人：上海亚尔精密零件制造有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率气体放电灯电极弹簧的制造方法，包括将钨丝均匀地绕在钼芯丝上、将绕制得到的复绕丝进行热定型、对热定型后的复绕丝进行裁切、将切割后的复绕丝中的钼芯丝进行化学溶解处理得到小弹簧、将小弹簧套在粗钨丝上、将粗钨丝按照设计的圈数绕制好内层弹簧，在该内层弹簧外侧利用粗钨丝绕制部分外层弹簧、将套入小弹簧的粗钨丝按照设计圈数完成剩余外层弹簧的绕制、用钳子剪断尾丝，完成绕制。与现有技术相比，本发明制作得到的大功率电极弹簧即增大了弹簧散热的表面积，又最大限度的延长了弹簧所用钨丝的寿命。
一种大功率气体放电灯电极弹簧制造方法

[发明专利]碳纳米管场发射阴极及其制备方法-CN202211402674.5在审
发明人：洪序达;梁栋;郑海荣 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本申请提供的碳纳米管场发射阴极的制造方法及碳纳米管场发射阴极，在碳纳米管浆料中，引入黏合颗粒和导电金属颗粒，经高温退火处理后，碳纳米管根部嵌入黏合颗粒和导电金属颗粒形成的基体中，形成牢固的结合，并具有良好的导电性，使得碳纳米管阴极的开启电场降低，并且能够在更高的电流下稳定发射，大大提高了阴极的发射电流密度。
纳米发射阴极及其制备方法

[发明专利]一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法-CN202210104288.1有效
发明人：陈飞良;李沫;张健;魏亚洲;赵键澎;王佳超;黄瑞涵;赵海全;杨帆;姜昊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。该制备方法首先在衬底上形成第一台面，再依次沉积介质层和第二台面，利用在存在高度差的衬底和第一台面同时沉积介质和第二台面的技术，可实现栅极与源漏极之间的自对准，精度可达纳米级。该方法采用普通紫外光刻和镀膜工艺即可快速方便地实现大面积晶元级纳米空气沟道三极管的批量制备，通过控制镀膜厚度即可精确控制纳米空气沟道的长度以及栅极与源漏极之间的距离与相对位置，具备操作简单易行、良率高、工艺一致性和重复性好的优点。
一种栅极对准垂直纳米空气沟道三极管制备方法

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