[发明专利]聚焦环、等离子体处理装置及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 200910165205.4 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101651078A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 辻本宏;永岩利文;半田达也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/32;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚焦环，其在载置用于收容被处理基板并实施规定的等离子体处理的处理腔室内的所述被处理基板的下部电极上，按照包围所述被处理基板的周围的方式配置成环状，该聚焦环的特征在于：在开始使用于等离子体处理的时刻，所述被处理基板的边缘部下表面和与该被处理基板的边缘部下表面相对的部位之间的距离为0.4mm以上。
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