“辻本宏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]喷淋头和等离子体处理装置-CN202210668642.3在审
发明人：广濑久;辻本宏;氏家智也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够防止在喷淋头的内部发生的异常放电的喷淋头和等离子体处理装置。本发明的喷淋头为用于向处理腔室的内部供给处理气体的喷淋头，其特征在于，包括：冷却板，其具有气体扩散室和从所述气体扩散室贯穿至所述冷却板的所述处理腔室侧的第1面的、供所述处理气体流通的多个第1贯通孔；上部电极，其具有与所述冷却板的所述第1面接触的第2面和用于形成所述处理腔室的内表面的第3面，并且具有从所述第2面贯穿至所述第3面的多个第2贯通孔；和形成在所述第1面或所述第2面的、彼此隔开间隔设置的多个凹部，所述多个第1贯通孔中的任一个第1贯通孔经由所述多个凹部中的任一个凹部与所述多个第2贯通孔中的至少两个所述第2贯通孔连接。
喷淋等离子体处理装置

[发明专利]上部电极组件-CN202210282339.X在审
发明人：李黎夫;小船贵基;辻本宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够恰当地提高厚度方向上的传热效率的上部电极组件。在等离子体处理装置中使用的上部电极组件包括：电极板；金属板；和传热片，其配置在上述电极板与上述金属板之间且具有垂直取向部分，上述垂直取向部分具有沿垂直方向取向的多个垂直取向石墨烯结构。
上部电极组件

[发明专利]等离子体处理装置-CN202210223405.6在审
发明人：荒卷昂;辻本宏;李黎夫;桑原有生;阿部凉也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够降低因基片周围的部件的随时间变化而导致的对处理的影响。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；构成为能够在上述等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部；配置在上述等离子体处理腔室内的基片支承部；以包围上述基片支承部上的基片的方式配置的第一导电性环；以包围上述第一导电性环的方式配置的绝缘环；和以包围上述绝缘环的方式配置并与接地电位连接的第二导电性环。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN202111299671.9在审
发明人：李黎夫;仓本纯弥;荒卷昂;辻本宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高基板处理的控制性的基板处理装置以及基板处理方法。该基板处理装置包括:处理容器,其具有用于支承基板的基板支承台；气体供给部,其用于向上述处理容器供给多种处理气体；等离子体生成部,其用于生成上述处理气体的等离子体；以及控制部,上述气体供给部具有:第一气体供给部,其用于将第一处理气体供给至上述处理容器；以及第二气体供给部,其用于将第二处理气体注入向上述处理容器供给的上述第一处理气体。
处理装置以及方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理装置的控制方法-CN202110429611.8在审
发明人：田中一光;李黎夫;辻本宏;寺泽淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第一频率的第一高频电功率；阻抗变换器，其将从上述第一高频电源观察到的负载侧的阻抗变换为所设定的设定阻抗；第二高频电源，其对上述基片载置台供给比上述第一频率低的第二频率的第二高频电功率；和控制部，其控制上述阻抗变换器的上述设定阻抗，上述控制部根据基片处理来设定上述设定阻抗。
处理装置控制方法

[发明专利]基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法-CN202110268824.7在审
发明人： 辻本宏;田中一光 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法。基板处理装置具备：基板载置台，其用于载置基板；第一高频电源，其将第一频率的第一高频电力输出至所述基板载置台；第二高频电源，其将比所述第一频率低的第二频率的第二高频电力输出至所述基板载置台；以及控制部，其控制所述第一高频电源，其中，所述第一高频电源具备反射波检测器，该反射波检测器检测从所述基板载置台输入的反射波，所述控制部根据处理内容来决定设定值，控制所述第一高频电源以使有效功率成为所述设定值，所述有效功率是从所述第一高频电源的输出功率减去所述反射波检测器检测到的所述反射波的功率所得到的差。
处理装置系统控制方法

[发明专利]边缘环及其更换方法、基片支承台和等离子体处理系统-CN202110264471.3在审
发明人： 辻本宏;桑原有生;李黎夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种边缘环、基片支承台、等离子体处理系统和边缘环的更换方法，其具有：载置基片的基片载置面；载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面的电极，所述边缘环在与所述环载置面相对的面粘贴有传热片，且经由该传热片载置于所述环载置面，所述传热片在与所述环载置面相对的面形成有导电膜，所述边缘环通过借助由所述电极形成的静电力来吸附被粘贴于该边缘环的所述传热片的所述导电膜，而被保持于所述环载置面。根据本发明，能够维持隔着传热片的边缘环与基片支承台之间的热传导性的同时，提高传热片从基片支承台剥离的剥离性。
边缘及其更换方法支承等离子体处理系统

[发明专利]控制等离子体处理装置的方法和等离子体处理装置-CN201910073186.6有效
发明人： 辻本宏;户花敏胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的技术问题为提供一种能够调节等离子体的状态的方法。解决方案为：在一实施方式的方法中，在腔室的内部空间中生成气体的等离子体。在等离子体的生成期间，增加由直流电源施加到电极的负极性的直流电压的绝对值。电极构成腔室的一部分或者设置于内部空间中。在负极性的直流电压的绝对值的增加期间确定第一电压值。第一电压值是在负极性的直流电压的绝对值的增加期间电流开始流过电极的该时刻该电极中的电压值。在等离子体的生成期间，将由直流电源施加到电极的直流电压的电压值设定为具有第一电压值与指定值之和的值的第二电压值。
控制等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法-CN201510089197.5有效
发明人：宇田浩;辻本宏;原田彰俊;药师寺秀明;杉山正治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low‑k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。
等离子体处理装置清洁方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN201980013718.5在审
发明人：穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼;辻本宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种等离子体蚀刻方法，将具有消耗构件的处理容器内维持为固定的压力，利用等离子体来蚀刻被处理体，所述等离子体蚀刻方法包括以下工序：测定所述消耗构件的温度从第一温度达到比该第一温度低的第二温度为止的降温时间或降温速度的变动值；以及根据表示所述消耗构件的消耗程度与所述变动值之间的相关性的信息，基于测量出的所述变动值来估计所述消耗构件的消耗程度。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202010201544.X在审
发明人：高桥徹;辻本宏;新藤信明;米田滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够在基板处理中减少通过静电吸盘吸附基板时的微粒并且使该基板处理的生产率提高。进行基板的处理的方法包括：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上；保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法-CN201710173345.0有效
发明人：大野久美子;辻本宏;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法，执行多次各自包括第一阶段和第二阶段的循环，第一阶段生成含有第一气体的第一处理气体的等离子体，第二阶段生成含有第一气体和第二气体的第二处理气体的等离子体，依照方案自动决定进行第二阶段的期间的开始时刻与来自气体供给系统的第二气体的输出的开始时刻之间的时间差。使用函数或者表确定与第二阶段的第一气体的流量和第二气体的流量对应的延迟时间。来自气体供给系统的第二气体的输出在比第二阶段的开始时刻仅靠前基于延迟时间设定的时间差的量的时刻开始。
等离子体处理方法

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201510379033.6有效
发明人：舟久保隆男;芳贺博文;狐塚慎一;小澤亘;坂本晃浩;谷口直树;辻本宏;大野久美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在步骤切换后使等离子体迅速地稳定从而能够进行适当的等离子体处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。控制装置(16)在第一步骤中以第一能量条件来驱动高频波产生源(1)，在第二步骤中以第二能量条件来驱动高频波产生源(1)。在第一步骤与第二步骤的切换时刻之前切换从气体提供供给系统(11)向处理容器(8)内提供供给的气体的种类，将刚切换后的初始期间内的气体流量设定成比经过初始期间后的稳定期间内的气体流量大。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]温度控制方法和等离子体处理装置-CN201610403890.X有效
发明人：丰田启吾;辻本宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明在等离子体处理装置内提高载置台的温度控制性。提供在等离子体处理装置内载置基板的载置台的温度控制方法，在等离子体处理装置内设置包括冷却载置台的冷却机构和加热载置台的第一加热机构的温度调整机构，通过测定来求取表示向等离子体处理装置内施加的高频电力与向载置台输入的热量的关系的第一关系信息，根据预先记录在记录部的数据表算出相对在规定工艺施加的高频电力的第一输入热量，依照输入热量阶段性设定冷却机构与第一加热机构的设定温度的差的控制容许范围，依照预先存储在记录部的操作图控制第一加热机构和冷却机构中至少任一者的温度，使得冷却机构与第一加热机构的设定温度的差成为与第一输入热量相应的控制容许范围内的温度。
温度控制方法等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201410521359.3有效
发明人：和田畅弘;小林真;辻本宏;田村纯;直井护;大薮淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电极与下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在处理空间中产生的等离子体与接地构件之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，上部电极与下部电极之间的间隔能够改变，电介质的厚度是根据蚀刻率相对于上部电极和下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。
处理装置

1
2
下一页»
尾页
共 22 条