[发明专利]用于形成具有包括氮化层的极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法有效
| 申请号： | 200910150293.0 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101615632A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·L·亨特 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 屏蔽栅场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区的多个沟槽。屏蔽电极设置在每个沟槽的底部中，并且栅电极设置在每个沟槽中的屏蔽电极之上。极间电介质(IED)在屏蔽电极和栅电极之间延伸。IED包括第一氧化层和在第一氧化层之上的氮化层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 包括 氮化 电介质 屏蔽 沟槽 fet 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅场效应晶体管(FET)，包括：多个沟槽，延伸进入半导体区；屏蔽电极，在每个沟槽的底部中；栅电极，在所述屏蔽电极之上；以及极间电介质(IED)，在所述屏蔽电极和所述栅电极之间延伸，所述IED包括：(i)第一氧化层，以及(ii)在所述第一氧化层之上的氮化层。
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