[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910140902.4 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101582411A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 原田刚史;柴田润一;植木彰 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明制造具有实用上充分的动作速度及耐电迁移性的半导体装置。在半导体基板的上表面形成层间绝缘膜(101)，在层间绝缘膜(101)内形成下层配线层(105)。在层间绝缘膜(101)的上表面及下层配线(105)的上表面形成衬垫绝缘膜(106)，在衬垫绝缘膜(106)的上表面形成层间绝缘膜(108)。在层间绝缘膜(108)内形成上层配线(113)，下层配线(105)与上层配线(113)经由过孔(109)连接。并且，在过孔周边区域(140)形成的衬垫绝缘膜(106)的膜厚比在过孔周边区域(140)的外侧形成的衬垫绝缘膜(106)的膜厚厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；在所述半导体基板上形成的第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜内形成的第一配线；在所述第一层间绝缘膜上及所述第一配线上形成的衬垫绝缘膜；在所述衬垫绝缘膜上形成的第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜内形成的第二配线；形成于所述衬垫绝缘膜内及所述第二层间绝缘膜内，且将所述第一配线和所述第二配线电连接的过孔，在过孔周边区域形成的所述衬垫绝缘膜的膜厚比在所述过孔周边区域的外侧形成的所述衬垫绝缘膜的膜厚厚。
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