[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置无效
| 申请号： | 200880101115.2 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101765908A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 内田诚一;小川裕之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G03F7/20;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供设置有平坦化层、同时使半导体层上的加工容易的半导体装置的制造方法。通过该方法提供适当地制造的半导体装置以及适当地使用于该制造方法中的曝光装置。本发明的半导体装置的制造方法，其为在基板上具有半导体层、和平坦化层的半导体装置的制造方法，当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状，所述制造方法包括：在基板上形成半导体层的工序；在半导体层上形成感光性有机膜的工序，所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段；和将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光，并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 曝光 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在基板上具有半导体层和平坦化层，当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状，所述制造方法的特征在于，包括：在基板上形成半导体层的工序；在半导体层上形成感光性有机膜的工序，所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段；和将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光，并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
