[发明专利]再生基片的方法、层积晶片制造法和适宜的再生供体基片有效
| 申请号： | 200880021382.9 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101689530A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 塞西尔·奥尔内特;哈里德·拉德万 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于再生基片的方法，在所述基片表面的第一区域，特别是沿着所述基片的边缘，具有阶状残留物，所述阶状残留物突出于所述基片的剩余的第二区域的表面，其中，主要在对应于所述基片的所述剩余的第二区域的表面的平面内和/或在朝着所述基片的边缘斜切的平面内，所述第一区域包括修饰区，特别是离子植入区。为防止污染物在随后的层积晶片制造过程中的负面影响，再生方法包括材料去除步骤，执行该步骤以使第一区域中的基片的表面低于材料去除前的修饰区的高度。本发明还涉及使用再生基片的层积晶片制造法和其中第一区域的表面低于第二区域的表面的再生基片。 | ||
| 搜索关键词： | 再生 方法 层积 晶片 制造 适宜 供体 | ||
【主权项】：
1.用于再生基片的方法，在所述基片表面的第一区域(21)，特别是沿着所述基片的边缘，具有阶状残留物(19)，所述阶状残留物(19)突出于所述基片的剩余的第二区域(25)的表面(23)，其中，主要在对应于所述基片的所述剩余的第二区域(25)的表面(23)的平面内，和/或在朝着所述基片的边缘斜切的平面内，所述第一区域(21)包括修饰区(27)，特别是离子植入区，所述方法的特征在于，在所述第一区域(21)中进行材料去除，以使在去除后，所述第一区域(21)中的所述基片的表面(31)至少部分地，特别是完全地，低于材料去除前的所述修饰区(27)的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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