[实用新型]基片缓冲器及半导体加工设备有效
| 申请号： | 200820124223.9 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN201336301Y | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 陈德高 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基片缓冲器及半导体加工设备，半导体加工设备的前端模块中设有基片缓冲器，基片缓冲器的盒体的后部设有后罩，后罩的下部设有排气口，可以通过排气口对基片缓冲器内部进行抽气，当气流从后罩下方的排气口排出时，可以在基片缓冲器内部形成一个横向气流，横向气流缓和的吹过基片缓冲器里的基片表面，从而实现对下方基片的吹扫，带走基片表面的颗粒，使下方的基片表面获得较好的吹扫效果。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲器 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1、一种基片缓冲器，包括盒体，其特征在于，所述盒体的后部设有后罩，所述后罩的下部设有排气口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
