[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200810086916.8 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276738A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/00;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够保持长时间地抑制在收容室内流动的直流电流值的降低的等离子体处理装置，该等离子体处理装置(10)包括：收容基板(W)并对其进行蚀刻处理的收容室(11)；向该收容室(11)内的处理空间(PS)供给高频电力的基座(12)；向处理空间(PS)施加直流电压的上部电极板(39)；沿排气流路(18)设置的接地电极(45)；和对处理空间(PS)、排气流路(18)进行排气的排气装置，而且，该等离子体处理装置(10)在收容室(18)内具有遮蔽部件(46)，其被配置成沿排气流介于该排气流和接地电极(45)之间，并且在该遮蔽部件(46)与接地电极(45)之间形成有截面呈长方形的槽状空间(47)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其包括：收容基板并对其进行等离子体处理的收容室；向该收容室内供给高频电力的高频电极；向所述收容室内施加直流电压的直流电极；设置在所述收容室内的、所述被施加的直流电压的接地电极；和对所述收容室内进行排气的排气装置，其特征在于：在所述收容室内具有遮蔽部件，其被配置成沿着排气流介于该排气流与所述接地电极之间，并且在该遮蔽部件与所述接地电极之间形成有截面呈长方形的槽状空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086916.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
