[发明专利]半导体光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200810083071.7 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101272037A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 阿部真司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/16;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用简单的方法制造在GaN系材料的LD中具有高COD耐性的窗结构的LD。包括如下步骤：在GaN系衬底(12)上依次层叠分别由GaN材料形成的缓冲层(14)、第一n－覆盖层(16)、第二n－覆盖层(18)、第三n－覆盖层(20)、n侧光引导层(22)、作为量子阱结构的活性层(26)、以及p侧SCH层(28)、电子势垒层(30)、p侧光引导层(32)、p－覆盖层(34)和接触层(36)，形成半导体叠层结构(55)；解理包含半导体叠层结构(55)的半导体晶片，使半导体叠层结构(55)的解理端面(58)露出；在所露出的解理端面上形成SiO2膜，利用基于预定的热处理Ga空位扩散，使活性层(26)无序化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光元件的制造方法，包括如下步骤，对包括半导体层叠结构的半导体晶片进行解理，使半导体层叠结构的解理面露出，该半导体层叠结构为如下结构：在GaN系的半导体衬底上，依次层叠分别由GaN系材料形成的第一导电型的第一半导体层、包含量子阱结构的活性层、以及第二导电型的第二半导体层；在露出的解理面上形成电介质膜，利用基于预定的热处理的Ga空位扩散，使活性层的量子阱结构无序化。
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