[发明专利]半导体装置结构及半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置结构及半导体装置。在半导体基板(2)的正上方形成由多个单位电阻(3a)构成的电阻层(3)，在其上形成用于进行各单位电阻(3a)连接配线的金属配线层(4)。各单位电阻(3a)的端部通过金属配线层(4)配线连接，成为所定电阻值。在金属配线层(4)形成MIM电容器(7)的一电极，电介质层(5)密接在金属配线层(4)上，再在该电介质层(5)上密接金属膜(6)。在金属膜(6)上形成金属配线层(9)，金属膜(6)和金属配线层(9)用通孔(8)连接，金属配线层(9)构成MIM电容器(7)的另一电极。能得到不限制电阻和电容器连接、芯片面积小的半导体装置结构及半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置结构，包括：半导体基板；电阻层，形成在所述半导体基板上，所述电阻层具有配置在其中的电阻；电容层，形成在所述电阻层上，所述电容层具有电容器，与电阻电气连接。