[发明专利]半导体装置结构及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置结构，包括：

半导体基板；

电阻层，形成在所述半导体基板上，所述电阻层具有配置在其中的电阻；

电容层，形成在所述电阻层上，所述电容层具有电容器，与电阻电气连接。

2.根据权利要求1中所述的半导体装置结构，其特征在于：

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述电容层包括：

第一金属层，与所述电阻层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极，同时，对所述多个单位电阻提供电连接；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。

3.根据权利要求1中所述的半导体装置结构，其特征在于：

进一步包括插入所述电阻层和电容层之间的中间金属层；

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述中间金属层对所述多个单位电阻提供电连接；以及

所述电容层包括：

第一金属层，与所述中间金属层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。

4.根据权利要求3中所述的半导体装置结构，其特征在于：

进一步包括至少一个金属配线层，配置在所述中间金属层和第一金属层之间。

5.根据权利要求1中所述的半导体装置结构，其特征在于：

所述电容器是金属-绝缘体-金属型电容器。

6.一种半导体装置，从输入电压产生一定的输出电压，该半导体装置包括：

半导体基板；

电阻层，形成在所述半导体基板上，所述电阻层具有配置在其中的电阻；

电容层，形成在所述电阻层上，所述电容层具有电容器，与电阻电气连接。

7.根据权利要求6中所述的半导体装置，其特征在于：

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述电容层包括：

第一金属层，与所述电阻层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极，同时，对所述多个单位电阻提供电连接；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。

8.根据权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括：

电压分压器，通过对输出电压进行分压，产生反馈信号；

控制电路，根据该反馈信号，输出控制信号；

输出晶体管，根据所述控制信号，控制电流通过，使得所述反馈信号成为所定的基准信号；

所述多单位电阻通过所述第一金属层被结合，形成与所述电容器连接的所述电压分压器。

9.根据权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括：

电压分压器，通过对输出电压进行分压，产生反馈信号；

控制电路，根据该反馈信号，输出控制信号；

电感器，将输入电压变换成输出电压；

开关晶体管，根据所述控制信号，对所述电感器进行充电，使得所述反馈信号成为所定的基准信号；

整流元件，进行电感器放电；

所述多单位电阻通过所述第一金属层被结合，形成与所述电容器连接的所述电压分压器。

10.根据权利要求6中所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括插入所述电阻层和电容层之间的中间金属层；

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述中间金属层对所述多个单位电阻提供电连接；

所述电容层包括：

第一金属层，与所述中间金属层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。