[发明专利]半导体装置结构及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置结构及半导体装置，尤其涉及内藏所谓串联稳压器(series regulator)或开关稳压器(switching regulator)的定电压电路、使用金属-绝缘体-金属(metal-insulator-matal，以下简记为“MIM”)型电容器作为补偿用电容器的半导体装置的配置。

背景技术

以往，在开关稳压器或串联稳压器中，为了稳定动作，在电路内使用补偿用电容器。具有电阻和补偿用电容器串联连接的RC电路场合，为了抑制芯片面积增加，有以下技术：在构成电容部的MIM电容器的上基体金属膜或下基体金属膜的至少一方，使用具有所定片材电阻值的薄膜电阻用金属材料形成电阻部(例如参照专利文献1)。

[专利文献1]日本特开平1-223757号公报

但是，在这种结构中，存在只能形成电阻和电容器的串联电路的问题。

发明内容

本发明就是为解决上述先有技术所存在的问题而提出来的，本发明的目的在于，提供能不限制电阻和电容器连接、芯片面积小的半导体装置结构及半导体装置。

为了实现上述目的，本发明提出以下方案：

(1)一种半导体装置结构，包括：

半导体基板；

电阻层，形成在所述半导体基板上，所述电阻层具有配置在其中的电阻；

电容层，形成在所述电阻层上，所述电容层具有电容器，与电阻电气连接。

(2)在上述(1)所述的半导体装置结构中，其特征在于：

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述电容层包括：

第一金属层，与所述电阻层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极，同时，对所述多个单位电阻提供电连接；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。

(3)在上述(1)所述的半导体装置结构中，其特征在于：

进一步包括插入所述电阻层和电容层之间的中间金属层；

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述中间金属层对所述多个单位电阻提供电连接；以及

所述电容层包括：

第一金属层，与所述中间金属层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。

(4)在上述(3)所述的半导体装置结构中，其特征在于：

进一步包括至少一个金属配线层，配置在所述中间金属层和第一金属层之间。

(5)在上述(1)所述的半导体装置结构中，其特征在于：

所述电容器是金属-绝缘体-金属型电容器。

(6)一种半导体装置，从输入电压产生一定的输出电压，该半导体装置包括：

半导体基板；

电阻层，形成在所述半导体基板上，所述电阻层具有配置在其中的电阻；

电容层，形成在所述电阻层上，所述电容层具有电容器，与电阻电气连接。

(7)在上述(6)所述的半导体装置中，其特征在于：

所述电阻包括多个可互相连接的单位电阻，形成多单位电阻；

所述电容层包括：

第一金属层，与所述电阻层邻接，该第一金属层形成上述电容器的一电极，同时，对所述多个单位电阻提供电连接；

电介质层，形成在所述第一金属层上；以及

第二金属层，形成在所述电介质层上，该第二金属层形成上述电容器的另一电极，通过所述电介质层与第一金属层绝缘。

(8)在上述(7)所述的半导体装置中，其特征在于：

进一步包括：

电压分压器，通过对输出电压进行分压，产生反馈信号；

控制电路，根据该反馈信号，输出控制信号；

输出晶体管，根据所述控制信号，控制电流通过，使得所述反馈信号成为所定的基准信号；

所述多单位电阻通过所述第一金属层被结合，形成与所述电容器连接的所述电压分压器。

(9)在上述(7)所述的半导体装置中，其特征在于：

进一步包括：

电压分压器，通过对输出电压进行分压，产生反馈信号；

控制电路，根据该反馈信号，输出控制信号；

电感器，将输入电压变换成输出电压；