[发明专利]气密式芯片封装方法及其装置有效
| 申请号： | 200810001023.9 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101217120A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁;杨国宾;彭胜扬 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种气密式芯片封装方法及其装置。该气密式芯片封装方法，包含提供一基板并在该基板上设置一芯片、提供一封盖、在该封盖与该基板之间设置一密封材料及一厚度大于该密封材料的凸柱、将该封盖罩盖于该基板上以形成一容置该芯片的容置空间，同时，该封盖与该基板间会因该凸柱而形成一气流通道；以及进行一密封步骤，其是在一惰性气体的氛围中，加热该密封材料，使得该基板与封盖借由该密封材料紧密地结合固定并使该容置容间成为一封闭式空间。该凸柱而形成的气流通道，能易于抽出内部气体，并且只需于该密封步骤通入惰性气体即可，以降低成本并简化制程。 | ||
| 搜索关键词： | 气密 芯片 封装 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气密式芯片封装方法，其特征在于包含：a)提供一基板；b)设置一芯片于该基板上；c)提供一封盖；d)在该封盖与该基板之间设置一密封材料与一凸柱，其中，该凸柱的厚度大于该密封材料的厚度；e)将该封盖罩盖于该基板上，以形成一容置该芯片的容置空间，同时，该封盖与该基板间会并因该凸柱而形成一气流通道；以及f)进行一密封步骤，在一惰性气体的氛围中，加热该密封材料，使得该基板与封盖借由该密封材料紧密地结合固定并使该容置容间成为一封闭式空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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