[发明专利]p型半导体材料、半导体元件、有机电致发光元件及p型半导体材料的制造方法无效
申请号: | 200780038254.0 | 申请日: | 2007-09-28 |
公开(公告)号: | CN101523983A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 折田政宽;成岛隆;柳田裕昭 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | H05B33/28 | 分类号: | H05B33/28;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于,提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配,适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的p型半导体材料及半导体元件,对于p型半导体材料,其特征在于,在包含Zn和Se的化合物中含有1×1018~5×1020cm-3的Ag,对于半导体元件,其特征在于,具备衬底、和位于该衬底上且具有上述任一种p型半导体材料的p型电极层。 | ||
搜索关键词: | 半导体材料 半导体 元件 有机 电致发光 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种p型半导体材料,其特征在于,在包含Zn和Se的化合物中含有1×1018~5×1020cm-3的Ag。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780038254.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管的封装结构及其封装方法
- 下一篇:联轴器