[发明专利]多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710178327.8 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447775A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王亮;宁瑾;孙国胜;王雷;赵万顺;赵永梅;刘兴昉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种采用立方相碳化硅材料制作的微机电系统谐振器件及其制作方法。本发明提出的谐振器件是一种静电感应激励方式的谐振器件，振动模式为横向振动和纵向振动。本发明提出的谐振器件采用衬底/隔离层1/隔离层2/牺牲层/立方相碳化硅结构层材料体系：即在衬底和立方相碳化硅材料层之间生长1-2层隔离层和1层牺牲层。以此来实现器件工作层和衬底之间的隔离和器件牺牲层厚度的精确控制。通过采用立方相碳化硅材料作为结构层材料能够有效提高谐振器件的工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 立方 碳化硅 微机 系统 谐振 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种立方相碳化硅材料微机电系统谐振器件，其特征在于，所述谐振器件是一种静电感应激励方式的谐振器，振动模式为横向振动和纵向振动，其包括：一衬底(10)；制作在衬底(10)上的第一隔离层(11)；制作在第一隔离层(11)上的第二隔离层(12)；制作在第二隔离层(12)上的一牺牲层(13)；制作在牺牲层(13)上的一工作材料层(14)；制作在工作材料层(14)的一欧姆接触电极(15)，其面积小于工作材料层。
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