[发明专利]存储器件和导电线的阵列及其制造方法无效
申请号: | 200710092195.7 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101276818A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | D·卡斯帕里;S·帕拉斯坎多拉 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/115;H01L23/528;H01L23/485;H01L21/822;H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;李丙林 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种导电线的阵列形成在半导体衬底上或至少部分地形成在半导体衬底内。该阵列包括沿第一方向延伸的多个导电线、由导电材料制成的多个着落垫,且各个着落垫连接到导电线的相应的一些,其中所述导电线包括导电线的第一和第二子集。第一子集的导电线与第二子集的导电线交替,其中连接到第一子集的导电线的着落垫设置在这些导电线的第一侧上,并且连接到第二子集的导电线的着落垫设置在这些导电线的第二侧上,该第一侧与该第二侧相对。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 导电 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种存储器件,包括:具有表面的半导体衬底;沿第一方向延伸的多个第一导电线;沿第二方向延伸的多个第二导电线,该多个第二导电线包括导电线的第一和第二子集,第一子集的导电线与第二子集的导电线交替;至少部分地形成在半导体衬底中的多个存储器单元,各个存储器单元可通过寻址所述第一和第二导电线中的相应的一些来寻址;以及包括导电材料的多个着落垫,各个着落垫与所述第二导电线的相应的一些连接,其中连接到第二导电线的第一子集的着落垫设置在第二导电线的第一侧上,并且连接到第二导电线的第二子集的着落垫设置在第二导电线的第二侧上,第一侧与第二侧相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的