[发明专利]存储器件和导电线的阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710092195.7 申请日: 2007-03-30
公开(公告)号: CN101276818A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: D·卡斯帕里;S·帕拉斯坎多拉 申请(专利权)人: 奇梦达股份公司
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L27/115;H01L23/528;H01L23/485;H01L21/822;H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/60
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;李丙林
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种导电线的阵列形成在半导体衬底上或至少部分地形成在半导体衬底内。该阵列包括沿第一方向延伸的多个导电线、由导电材料制成的多个着落垫,且各个着落垫连接到导电线的相应的一些,其中所述导电线包括导电线的第一和第二子集。第一子集的导电线与第二子集的导电线交替,其中连接到第一子集的导电线的着落垫设置在这些导电线的第一侧上,并且连接到第二子集的导电线的着落垫设置在这些导电线的第二侧上,该第一侧与该第二侧相对。
搜索关键词: 存储 器件 导电 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种存储器件,包括:具有表面的半导体衬底;沿第一方向延伸的多个第一导电线;沿第二方向延伸的多个第二导电线,该多个第二导电线包括导电线的第一和第二子集,第一子集的导电线与第二子集的导电线交替;至少部分地形成在半导体衬底中的多个存储器单元,各个存储器单元可通过寻址所述第一和第二导电线中的相应的一些来寻址;以及包括导电材料的多个着落垫,各个着落垫与所述第二导电线的相应的一些连接,其中连接到第二导电线的第一子集的着落垫设置在第二导电线的第一侧上,并且连接到第二导电线的第二子集的着落垫设置在第二导电线的第二侧上,第一侧与第二侧相对。
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