[发明专利]非易失性半导体存储装置的验证方法

摘要

本发明提供了一种可以低功耗工作的非易失性半导体存储装置。在非易失性半导体存储装置中，多个非易失性存储元件串联连接。该多个非易失性存储元件包括半导体层，该半导体层包括沟道形成区域以及与该沟道形成区域重叠的控制栅。对非易失性存储元件的数据验证操作中的写入、擦除、第一读取和第二读取操作可通过改变对非易失性存储元件的控制栅施加的电压而执行。在擦除操作之后的验证操作中的第二读取是通过改变选自多个非易失性存储元件的仅一个非易失性存储元件的控制栅的电势而执行，该电势使用与第一读取的电势不同的电势。

主权项

1.一种具有串联连接的第一和第二非易失性存储元件的半导体装置的验证方法，包括：将所述第一非易失性存储元件的控制栅的电势设置为第一电势并将所述第二非易失性存储元件的控制栅的电势设置为第二电势，用于擦除存储于所述第一非易失性存储元件内的数据；以及将所述第一非易失性存储元件的控制栅的电势设置为第三电势并将所述第二非易失性存储元件的控制栅的电势设置为所述第二电势，用于在擦除存储于所述第一非易失性存储元件内的数据之后读取存储于所述第一非易失性存储元件内的数据。