[发明专利]具有预留空间的掩膜编程存储器有效

专利信息
申请号: 200710048243.2 申请日: 2007-01-12
公开(公告)号: CN101221816A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 张国飙 申请(专利权)人: 张国飙
主分类号: G11C17/10 分类号: G11C17/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610051四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出了一种具有预留空间的掩膜编程存储器(RS-MPM)。在首版发行时,其存储空间含有一首版空间和一预留空间,该首版空间存储首版资料,而该预留空间不存储任何有效信息。与该预留空间对应的信息掩膜版区域为掩膜版预留区,它为全暗(dark)或全亮(clear)。当后续版本发行时,在掩膜版预留区内形成后续资料的掩膜图形,故后续资料存储在预留空间。
搜索关键词: 具有 预留 空间 编程 存储器
【主权项】:
1.一种具有预留空间的掩膜编程存储器,其特征在于含有:至少一首版空间,该首版空间存储首版资料;和至少一预留空间,该预留空间在首版发行时不存储任何有效信息,在后续版本发行时可存储后续资料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张国飙,未经张国飙许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710048243.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种OTP存储器-202310069887.9
  • 聂建波;许正杰;王阿明 - 南京模砾半导体有限责任公司
  • 2023-02-07 - 2023-06-02 - G11C17/10
  • 本发明公开了一种OTP存储器,属于异常通讯检测技术领域,针对了对于芯片生产时增加了FT的测试时间导致生产成本的提高的问题,包括存储单元,用于存储需要写入的所有数据,存储单元的一端连接有写入单元,用于将需要写入的数据写入到存储单元中;本发明通过本算法提供了一种OTP存储器,在进行芯片生产trim或者参数配置时使用该算法,不需要写全部的寄存器到OTP中,而只需要写需要更新的寄存器值,即可完成芯片的trim或者参数配置,如此则大大的减少了测试时间,从而节省了成本,同时采用本读写算法,可以采样多块OTP代替MTP,从而节省了芯片die的面积,减少了芯片die的成本。
  • OTP单元和存储器-202011401609.1
  • 何世坤;周伟华;熊保玉 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2020-12-03 - 2022-06-10 - G11C17/10
  • 本申请提供了一种OTP单元和存储器,该OTP单元包括硬击穿组件、数据读取单元和开关单元,其中,硬击穿组件包括至少两个硬击穿器件,硬击穿组件在短路状态时的输出电压与硬击穿组件在非短路状态时的输出电压不同,短路状态为所有的硬击穿器件均短路的状态,非短路状态为除短路状态外的其他状态,硬击穿器件为具有硬击穿特性的器件;数据读取单元与硬击穿组件电连接,数据读取单元用于将硬击穿组件的输出电压转换为数字信号并输出;开关单元包括至少两个开关器件,开关单元与硬击穿组件和数据读取单元分别电连接,开关器件的数量与硬击穿器件的数量相同且一一对应电连接。该OTP单元保证了其可靠性能较好。
  • 压印存储器-201510091225.7
  • 张国飙 - 杭州海存信息技术有限公司
  • 2012-09-02 - 2015-07-01 - G11C17/10
  • 高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器(mask-ROM)的广泛应用。本发明提出一种压印存储器(imprinted memory),尤其是三维压印存储器(three-dimensional imprinted memory,简称为3D-iP)。它采用压印法(imprint-lithography)来录入数据。压印法也称为纳米压印法(nano-imprint lithography,简称为NIL),其采用的数据模版(template)比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。
  • 一次编程存储器及其制备方法-201110355203.9
  • 刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;吕杭炳;刘琦 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-11-10 - 2013-05-15 - G11C17/10
  • 本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括:下电极;上电极;以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜;上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒,阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功能薄膜低阻态时所具有的整流特性能够有效的抑制交叉阵列结构中的读串扰,便于存储器件和外围电路的集成,简化了器件的制备工艺。
  • 自修复系统和方法-201210310140.X
  • 张国飙 - 成都海存艾匹科技有限公司
  • 2012-08-28 - 2013-03-13 - G11C17/10
  • 随着存储容量的增加,三维掩膜编程只读存储器(3D-MPROM)的测试时间变得很长,成本很高。相应地,本发明提出一种自修复系统。3D-MPROM的大部分数据在出厂时未被检测,而在使用现场被检测和修复。该系统含有一播放器。内容通过网络等通讯手段逐次传输至播放器的可重复写存储器(RWM)中。一段时间后,用户收到存储上述内容集合的3D-MPROM。播放器对其数据进行检测。如果发现错误数据,则从RWM处获取相应的正确数据。
  • 多位元三维掩膜编程存储器-201010194950.4
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2010-05-24 - 2011-11-30 - G11C17/10
  • 本发明提供一种多位元(large bit-per-cell)三维掩膜编程存储器(3D-MPROMB),其每个存储元能存储多位(如4位)信息。3D-MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏-安曲线可调节的范围。
  • 三维存储器之设计-200810183095.X
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2002-11-17 - 2009-07-01 - G11C17/10
  • 本发明对三维存储器(3D-M)作了进一步改进,并充分利用其与衬底电路的可集成性,来提高3D-M的速度、成品率和可编程性。3D-M可以利用读出放大器(S/A)、全读模式和自定时来提高其读速度。使用S/A和全读模式还能极大地提高3D-M单位阵列的容量,因而增强3D-M与衬底电路的可集成性。衬底电路上还可以嵌入RAM作为3D-M数据的cache,或ROM作为3D-M数据的纠错数据和/或升级码。
  • 窄线宽三维存储器-200810183936.7
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2005-11-14 - 2009-05-20 - G11C17/10
  • 在集成电路技术中,晶体管的换代速度远慢于二极管,故二极管存储器的存储密度远大于晶体管存储器。相应地,本发明提出一种窄线宽三维存储器,它含有:一衬底,该衬底上有效晶体管栅极的特征尺寸为F;至少一叠置在该衬底上、并与该衬底耦合的二极管存储层,其地址选择线的特征尺寸为f;其中,f小于F。
  • 存储器-200810130153.2
  • 山田光一 - 三洋电机株式会社
  • 2008-07-30 - 2009-02-04 - G11C17/10
  • 本发明提供一种存储器,其构成为具备:多根字线;配置为与多根字线交叉的多根位线;分别配置于字线与位线交叉的位置上的多个存储器单元;和与位线连接的选择电路;选择电路的电流驱动能力根据位线所配置的位置的不同而不同。
  • 基于三维存储器的三维存储模块(3D2-M2)-200710194280.4
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2007-12-12 - 2008-08-20 - G11C17/10
  • 基于三维存储器的三维存储模块(3D2-M2)及其系统含有:一个存储一预录制多媒体库的三维存储模块,该三维存储模块含有多个相互堆叠的三维掩膜编程存储器芯片,每个所述三维掩膜编程存储器芯片含有多个相互堆叠的掩膜编程存储层;和一控制访问所述预录制多媒体库的使用控制块。3D2-M2具有超大容量和超低成本,其销售模式易于被用户接受。
  • 结构化单元阵列中的可变尺寸软存储器宏及相关的方法-200810009546.8
  • D·刘易斯 - 阿尔特拉公司
  • 2008-01-07 - 2008-08-06 - G11C17/10
  • 本说明书提供了一种结构化单元阵列中的可变尺寸软存储器宏及相关的方法。可以使用结构化特定用途集成电路(结构化ASIC)的逻辑单元(HLE)来提供不同尺寸的存储器模块。可以使用这些技术中的任意一个或多个,以推动其用于各种对这样的存储器模块具有不同要求(例如,根据尺寸)的用户设计。例如,可以提供存储器模块的预先设计的宏,然后如果需要,组合它们以提供各种尺寸的存储器模块。对于存储器电路的某些部分(例如,存储器核心)要遵守布局约束,而其他部分(例如,地址预解码电路、写入和读出数据寄存器等)可能相对自由地定位。
  • 具有预留空间的掩膜编程存储器-200710048243.2
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2007-01-12 - 2008-07-16 - G11C17/10
  • 本发明提出了一种具有预留空间的掩膜编程存储器(RS-MPM)。在首版发行时,其存储空间含有一首版空间和一预留空间,该首版空间存储首版资料,而该预留空间不存储任何有效信息。与该预留空间对应的信息掩膜版区域为掩膜版预留区,它为全暗(dark)或全亮(clear)。当后续版本发行时,在掩膜版预留区内形成后续资料的掩膜图形,故后续资料存储在预留空间。
  • 非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法-200710088991.3
  • 陈威仲;何达能;陈俤文;陈威铭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2007-03-29 - 2008-03-26 - G11C17/10
  • 提供一种非易失性存储器的制造方法。首先,提供一待编码存储器,具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上,屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一图案化植入阻抗层,并离子植入露出的待编码存储体,以定义出第一存储体及第二存储体,第一存储体及第二存储体分别具有一第二位状态及一第一位状态。然后反向定义待编码存储器,使第一存储体及第二存储体分别具有第一位状态及第二位状态。
  • 优于同期微硬盘的三维存储模块-200610128742.8
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2006-09-02 - 2008-03-05 - G11C17/10
  • 本发明提供了一种三维存储模块(3D-MM),它在存储容量和外部尺寸方面优于同期微硬盘(CMD)。基于三维存储器(3D-M)的3D-MM((3D)2-MM)在生产成本上还优于同期微硬盘。基于三维掩膜编程存储器(3D-MPM)的3D-MM为便携式多媒体资料库-尤其是视频资料库-提供一个具有超大容量的存储体。
  • 改进的三维只读存储器-200610159413.X
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2002-11-17 - 2008-01-23 - G11C17/10
  • 本发明提出一种三维只读存储器(3D-ROM)中的二极化存储元,该二极化存储元含有两个具有不同基材料的次膜,或与其上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小,从而提高其可集成性。本发明还提出一种3D-ROM中的无缝存储元,它能提高3D-ROM的成品率。
  • 存储器-200710088482.0
  • 山田光一 - 三洋电机株式会社
  • 2007-03-27 - 2007-10-03 - G11C17/10
  • 提供一种以高速工作的存储器。该存储器具有:多个字线;分别连接在多个字线上,通过选择对应的字线,变为导通状态的第一晶体管;分别包含把阴极连接在第一晶体管的源/漏区的一方上的二极管的多个存储单元;连接在第一晶体管的源/漏区的另一方一侧,用于判别从选择的存储单元读出的数据的数据判别部。
  • 非易失性半导体存储器-200610164134.2
  • 岡本一好;柳泽一正 - 株式会社瑞萨科技
  • 2006-12-06 - 2007-06-13 - G11C17/10
  • 提供可以高速运行的高密度掩膜ROM。借助掩膜ROM,各源线被设置以便被彼此邻近的各列中的存储器单元共享,且位元线被设置以对应于存储器单元的各列。而且,为存储器单元的各列设置空单元。空单元每个都由包括第一开关晶体管和第二开关晶体管的串联电路组成,其中第一开关晶体管响应空字元线(DWL)上的信号电势切换到导通状态,第二开关晶体管17响应相应列中源线的电势而将相邻源线耦合至相应位元线。存储器单元每个都由一个单位的晶体管和由掩膜布线形成的数据存储装置组成。在读取数据时,使选择列中源线的电势经历变化,从而在由被选择存储器单元所耦合到的被选择位元线和空单元耦合到其上的基准位元线组成的对之间产生电势差,使得可以通过检测电势差而执行数据读出。
  • N进制掩膜编程存储器-200610100860.8
  • 张国飙 - 张国飙
  • 2006-07-09 - 2007-01-17 - G11C17/10
  • 本发明提出一种N(>2)进制掩膜编程存储器(N-MPM),尤其是三维N(>2)进制掩膜编程存储器(3-D N-MPM)。N-MPM存储元具有N种可能状态。数字信息按N进制代码来存储。由于每个存储元可以存储>1位信息,N-MPM比常规的二进制MPM(2-MPM,每个存储元存储1位信息)存储密度大。
  • 组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元-200610076750.2
  • 廖修汉;陈立业 - 连邦科技股份有限公司
  • 2002-07-31 - 2006-10-04 - G11C17/10
  • 本发明提出了一种组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元,其特征在于,包括有一静态随机存取单元以及一只读存储单元,其中该静态随机存取单元用以作为随机存取的存储单元,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管,该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管和该第四晶体管形成一正反器,该第一晶体管与该第三晶体管互补,该第二晶体管与该第四晶体管互补,该只读存储单元用以永久保存数据,包括有一第七晶体管;该只读存储单元是位于一形成该第五晶体管与该第六晶体管的多晶硅区与一源极接触点所在的主动区延伸部所交错的十字区中,使得该只读存储单元位于该静态随机存取存储单元中。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top