[发明专利]采用二级化存储元的三维只读存储器有效
| 申请号： | 200810186013.7 | 申请日： | 2002-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101763899A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10;H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种采用二级化存储元的三维只读存储器(3D-ROM)。该二极化存储元的准导通膜与上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小，从而提高其存储密度和可集成性。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 二级 存储 三维 只读存储器 | ||
【主权项】：
一种采用二极化存储元的三维只读存储器，其特征在于含有：一衬底；多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；至少一个存储层含有多个二级化存储元，每个二级化存储元含有：第一和第二导体；一位于该第一和第二导体之间的二极化的准导通膜；该二极化的准导通膜与该第一和第二导体具有不同的界面；电流在不同方向上通过该准导通膜时，其电阻不同。
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