[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200710007286.6 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101030566A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张惠林;卢永诚;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括选自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成的族群的一材料；一介层物，位于该低介电常数介电层中；以及一金属导线，位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。本发明的半导体结构及其形成方法具有高热稳定性与高电子击穿电场等特性，可提升对于热循环以及施加电力的阻抗，并使半导体结构的机械强度获得改善且无须额外的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括选自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成的族群的一材料；一介层物，位于该低介电常数介电层中；以及一金属导线，位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。
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