[发明专利]具有优化的光子晶体提取器的高效发光二极管（LED）无效
| 申请号： | 200680013748.9 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101194365A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 奥雷利安·J·F·戴维;克洛德·C·A·魏斯布什;史蒂文·P·登巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L29/22 | 分类号： | H01L29/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种具有优化的光子晶体提取器(64)的高效且可能高度定向的发光二极管(LED)。所述LED由以下组成：衬底(28)；生长在所述衬底上的缓冲层(30)(如果需要的话)；包含发射物质的活性层(32)；一个或一个以上光学限制层，其定制LED中所导引模式(40)的结构；和一个或一个以上衍射光栅，其中所述衍射光栅是二维光子晶体提取器。可去除所述衬底，且可在所述缓冲层、光子晶体和活性层上沉积金属层，其中所述金属层(42)可充当镜面、电触点和/或有效的衍射光栅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 光子 晶体 提取 高效 发光二极管 led | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管(LED)，其包括：(a)衬底；(b)活性层，其形成在所述衬底上，其中所述活性层包含一个或一个以上发光物质；(c)一个或一个以上光学限制层，其形成在所述活性层下方或周围，其中所述光学限制层定制所述LED内的导引模式的结构；以及(d)一个或一个以上衍射光栅，其形成在所述光学限制层上，其中所述衍射光栅是从所述LED提取光的二维光子晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会，未经加利福尼亚大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680013748.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 柔性ZnO/NiO/ZnO多功能三极管及其制备方法-201910977844.4
- 徐旻轩;李馨;金成超;何志伟;张骐 - 杭州电子科技大学
- 2019-10-15 - 2022-07-19 - H01L29/22
- 本发明公开了一种柔性ZnO/NiO/ZnO多功能三极管，该结构为从上到下依次为发射极、基极、集电极、柔性导电衬底；所述的柔性导电衬底为柔性衬底上设有导电层；所述的发射极材料为ZnO，所述的基极材料为NiO，所述的集电材料为ZnO，所述的发射极、基极、集电极的一侧对齐，所述的发射极和柔性衬底的导电层上设有电极。本发明通过压电效应与半导体能带工程的耦合作用实现该晶体管在光电探测，力电传感以及纳米发电等多种功能化应用。
- 一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法-201811574782.4
- 刘利书;冯宇翔 - 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
- 2018-12-21 - 2020-06-30 - H01L29/22
- 本发明涉及一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法。所述高电子迁移率晶体管包括：自下而上设置的衬底、ZnO沟道层、MgZnO缓变势垒层、掺杂的势垒层和介电层；以及，在所述ZnO沟道层与所述MgZnO缓变势垒层之间的二维电子气体；位于所述介电层表面的源极和漏极；位于所述源极和漏极之间，并贯穿所述介电层、且底部嵌入所述掺杂的势垒层的栅极。本发明提出了一种基于宽禁带ZnO材料的高电子迁移率晶体管，在大幅减少能源消耗和原料采购成本的同时，还具有较为理想的半导体性能。
- 一种择优取向的Ga
- 范明明;曹铃;李秀燕 - 太原理工大学
- 2019-11-27 - 2020-05-05 - H01L29/22
- 一种择优取向的Ga
- 一种硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结及其制备方法和应用-201610831659.0
- 于琦;王维;艾桃桃;袁新强;姜立运;李文虎;蒋鹏 - 陕西理工学院
- 2016-09-19 - 2019-03-12 - H01L29/22
- 本发明提供了一种硼掺杂氧化锌片层球/p‑型PET‑ITO异质结及其制备方法和应用，制备时以六水硝酸锌、乌洛托品和硼酸为主要反应物，先在柔性衬底PET‑ITO表面离子溅射一层很薄的ZnO籽晶层；然后配制不同浓度硼掺杂的氧化锌前驱体溶液；再在垂直放入的柔性衬底上，水热法生长B掺杂ZnO纳米结构，获得可用作催化剂的B‑ZnO/PET‑ITO异质结。本发明通过水热反应获得的产物具有特殊的片层球形貌，典型的整流特性，对有色偶氮染料活性黄15有较强的降解作用，在异质结二极管、环境治理等领域具有广阔的研究前景，适合大面积生产和应用。
- 一种ZnO同质pn结及其制备方法-201210248191.4
- 苏海林;梁金坤;吴玉程;黄荣俊 - 合肥工业大学
- 2012-07-18 - 2012-10-24 - H01L29/22
- 本发明公开了一种ZnO同质pn结及其制备方法，其中ZnO同质pn结是由p型Sb掺杂ZnO纳米棒阵列与n型Al掺杂ZnO薄膜组成。所述p型Sb掺杂ZnO纳米棒中Sb的掺杂浓度为0.9-8.3at.%，所述n型Al掺杂ZnO薄膜中Al的掺杂浓度为3at.%。本发明采用离子束溅射结合电化学沉积的方法制备ZnO同质pn结，这是首次采用电化学沉积技术制备Sb掺杂ZnO纳米棒并将其作为ZnO同质结的p区，丰富了ZnO同质结的组成结构，简化了ZnO同质结的制备方法，大幅降低了制备成本。
- 双端开关装置及其制造方法-201110079484.X
- 俞钢;谢泉隆;李兴中 - 希百特股份有限公司
- 2007-11-06 - 2011-09-07 - H01L29/22
- 本发明提供双端开关装置，其特点是具有高开/关电流比和高击穿电压。这些装置可被用作在主动矩阵显示器的驱动电路中的开关，例如，用在电泳显示器、旋转元件显示器和液晶显示器中。开关装置包括两个电极和位于电极之间的宽带半导体材料层。根据一个实施例，阴极包含具有低功函的金属，阳极包含具有p+型或p++型传导性的有机材料，且宽带半导体包含金属氧化物。阴极和阳极材料之间的功函差异优选为至少约0.6eV。可实现在约15V的电压范围的至少10000的开/关电流比。如果需要，该装置可被形成在具有低熔点的柔性聚合物衬底上。
- 用于发光二极管的表面纹理化的封装件-200980133115.5
- 徐涛 - 布里奇勒科思股份有限公司
- 2009-06-22 - 2011-07-20 - H01L29/22
- 一种用于发光二极管的表面纹理化的封装件。在一个方面，提供的发光二极管装置包括：发光二极管；以及封装件，形成在发光二极管上且具有被构造为提取光的表面纹理。在一个方面，方法包括：利用具有被构造为提取光的表面纹理的封装件封装发光二极管。在一个方面，提供了发光二极管灯，该灯包括：外壳；至少一个发光二极管，设置在外壳内；以及封装件，形成在至少一个发光二极管上且具有被构造为提取光的表面纹理。在另一方面，方法包括：确定封装件的一个或更多个区域，该封装件构造为覆盖发光二极管；以及利用被构造为提取光的一种或更多种几何特征来表面纹理化封装件的每个区域。
- 金属-绝缘体-金属(MIM)装置及其制备方法-200780049295.X
- 巩雄;杨开霞;俞钢;B·J·L·尼尔松;谢泉隆;李兴中;黄鸿发 - 希百特股份有限公司
- 2007-11-06 - 2010-01-13 - H01L29/22
- 提供了用于主动矩阵背板应用的、具有至少一个通过液相加工方法形成的电极的MIM型二端开关装置；更具体说，具有对称电流-电压特征的MIM装置应用于LCD主动矩阵背板应用，而具有不对称电流-电压特征的MIM装置应用于电泳显示器(EPD)和旋转元素显示器的主动矩阵背板。特别是，底部金属、金属氧化物绝缘体和可溶液处理的顶部传导性层的组合实现了柔性显示器的高通量、滚卷方法。
- 双端开关装置及其制造方法-200780049394.8
- 俞钢;谢泉隆;李兴中 - 希百特股份有限公司
- 2007-11-06 - 2010-01-06 - H01L29/22
- 本发明提供双端开关装置，其特点是具有高开/关电流比和高击穿电压。这些装置可被用作在主动矩阵显示器的驱动电路中的开关，例如，用在电泳显示器、旋转元件显示器和液晶显示器中。开关装置包括两个电极和位于电极之间的宽带半导体材料层。根据一个实施例，阴极包含具有低功函的金属，阳极包含具有p+型或p++型传导性的有机材料，且宽带半导体包含金属氧化物。阴极和阳极材料之间的功函差异优选为至少约0.6eV。可实现在约15V的电压范围的至少10000的开/关电流比。如果需要，该装置可被形成在具有低熔点的柔性聚合物衬底上。
- 半导体发光装置-200680004323.1
- 拉亚·夏尔马;保罗·摩根·帕蒂森;约翰·F·克丁;中村修二 - 加利福尼亚大学董事会
- 2006-02-07 - 2009-11-18 - H01L29/22
- 本发明提供一种半导体发光二极管和其制作方法，其中在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。所得装置是无磷光体的白光光源。
- 纳米YAG:Ce磷光体组合物及其制备方法-200780042000.6
- 陶德节;李依群;成世凡 - 英特曼帝克司公司
- 2007-10-19 - 2009-09-16 - H01L29/22
- 本发明揭示掺杂铈的石榴石磷光体，其在光谱的黄色区域内发射，并且具有通式(Y，A)3(Al，B)5(O，C)12:Ce3+，其中A为Tb、Gd、Sm、La、Sr、Ba、Ca和/或Mg并且取代Y，B为Si、Ge、B、P和/或Ga并且取代Al，并且C为F、Cl、N和/或S，其中C取代O。相对于固态反应方法，瞬时共沉淀方法提供更均匀的混合环境以促进Ce3+激发剂在YAG基质中的分布。这一均匀分布具有提高发射强度的优点。由此制造的磷光体原始粒径为约200nm，其具有窄分布。
- 用于引导来自LED的光的分立光学装置-200780005975.1
- D·T·东;P·N·温伯格;M·R·托马斯 - 伊鲁米特克斯公司
- 2007-01-03 - 2009-03-11 - H01L29/22
- 本发明的实施例提供用于耦接到分立LED的分立光学装置，该分立光学装置包括：入射面，用于当所述分立光学装置耦接到分立LED时，接收来自所述分立LED的光；与所述入射面相对并与所述入射面相距一距离的出射面以及一组侧壁。所述出射面至少具有针对从所述分立光学装置所投射的期望半角的光的维持亮度恒定所需的最小面积。另外，将每一侧壁布置和成形为使得从所述入射面到该侧壁具有直线传播路径的至少大部分光线以小于或等于所述出射面处的临界角的所述出射面处的入射角，被反射到所述出射面。
- 照明装置-200680048120.2
- 杰拉尔德·H·尼格利 - 科锐LED照明科技公司
- 2006-12-21 - 2009-01-21 - H01L29/22
- 本发明涉及一种照明装置，包括至少一个固态发光体和与所述固态发光体间隔开的至少一个发光元件，所述发光元件的表面至少是所述固态发光体的发光面的两倍大。本发明还涉及一种照明装置，包括至少一个固态发光体和与所述固态发光体间隔开的至少一个发光元件，所述发光元件的表面至少是所述固态发光体的发光面的两倍大，并且所述发光元件的表面与所述固态发光体的发光面平行。本发明还涉及一种照明装置，包括至少一个固态发光体和与所述固态发光体间隔开的至少一个发光元件，所述发光元件的投影的表面积至少是所述固态发光体的投影的表面积的两倍大。
- 防潮磷光体和LED发光器件-200680052182.0
- 田永驰;P·N·约克姆;杨立友;G·弗里德瑞克逊;R·希姆斯 - 沙诺夫公司
- 2006-10-12 - 2008-12-31 - H01L29/22
- 本发明提供了涂覆有氧化物涂层的光致发光磷光体，该磷光体包含(1)选自(a)金属硫代镓酸盐磷光体和(b)金属硫化物磷光体的无机磷光体和(2)包含具有至少一种氧化物的至少一个层的涂层。本发明的涂覆光致发光磷光体比其未涂覆时更能抵抗水致劣化。
- 用于LED阵列的针状ITO-200680033188.3
- A·C·托马斯;B·伊罗纳;W·J·帕西欧莱克 - 世界产权公司
- 2006-07-26 - 2008-09-10 - H01L29/22
- 提供一种耦合在透明衬底(11)和电极(16)之间的LED的阵列，各LED(14)的发光表面与针状ITO的区域(13)电接触。通过接触裸片的发光表面，针状ITO还提供光散射。接触区域被互连(12)以形成阵列。针状ITO用作用于各个裸片的镇流电阻，并且，可以微调该电阻以在LED之间获得更均匀的电流。由于各个LED被单独地镇流，因此可以以稳定的亮度以任何图案或全部同步驱动阵列中的LED。
- 引导式光学的光导-200680021987.9
- T·特斯诺 - 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司
- 2006-06-23 - 2008-07-16 - H01L29/22
- 一种光学的光导，其包括具有输入窗口的基本坚硬的光传输体、远端、前侧和后侧。光传输体在该前侧上具有基本平滑的外表面和基本透明的和固态的内部。输入窗口传输光线到光传输体内，输入窗口基本上横穿发光二极管(LED)光源的纵向轴线延伸。光传输体具有在前侧和后侧之间测量的基本恒定的厚度。光传输体通过60到120度的弧度远离输入窗口而延伸到扩展部，扩展部形成了朝向远端延伸的输出区域。至少位于所述输出区域内的后侧形成有多个引导被截取的光线朝向前侧的内部全反射阶梯。
- 具有优化的光子晶体提取器的高效发光二极管（LED）-200680013748.9
- 奥雷利安·J·F·戴维;克洛德·C·A·魏斯布什;史蒂文·P·登巴尔斯 - 加利福尼亚大学董事会
- 2006-02-10 - 2008-06-04 - H01L29/22
- 本发明揭示一种具有优化的光子晶体提取器(64)的高效且可能高度定向的发光二极管(LED)。所述LED由以下组成：衬底(28)；生长在所述衬底上的缓冲层(30)(如果需要的话)；包含发射物质的活性层(32)；一个或一个以上光学限制层，其定制LED中所导引模式(40)的结构；和一个或一个以上衍射光栅，其中所述衍射光栅是二维光子晶体提取器。可去除所述衬底，且可在所述缓冲层、光子晶体和活性层上沉积金属层，其中所述金属层(42)可充当镜面、电触点和/或有效的衍射光栅。
- 具有改善的光输出的垂直结构半导体器件-200580020642.7
- 刘明哲;金东宇;盐根永 - 沃提科尔公司
- 2005-06-22 - 2007-08-29 - H01L29/22
- 本发明提供了一种用于制造具有较大改善的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法。制造发光半导体器件的方法的典型实施例包括以下步骤：形成发光层；在发光层上形成波形表面，以改善光输出。在一个实施例中，该方法进一步包括在每个半导体器件的波形表面上形成透镜的步骤。在一个实施例中，所要求的方法进一步包括以下步骤：在半导体结构上形成接触焊盘以与发光层接触；以及将每个半导体器件封装在包括上引线框和下引线框的封装体中。本发明的优点包括用于制造具有高成品率、可靠性和光输出的半导体器件的改进技术。
- 使用激光束分离材料层的方法-200580015231.9
- 琼库克·帕克;杰弗里·P.·瑟塞尔;帕特里克·J.·瑟塞尔 - J.P.瑟塞尔联合公司
- 2005-03-29 - 2007-05-30 - H01L29/22
- 通过辐照材料层和衬底之间的界面，使用剥离方法从衬底上分离材料层。根据一个示例工艺，将层分成多个与衬底上的管芯对应的区段，并且将均匀束斑的形状设置成覆盖整数个区段。
- 用于微结构和半导体器件的新封装方法-200480016667.5
- T·达恩 - 反射公司
- 2004-05-24 - 2006-07-19 - H01L29/22
- 本发明提供了一种封装电子器件(例如接收或发送电子信号的任何器件)的新方法，上述电子器件包括微机电器件、半导体器件、发光器件、光调制器件及光检测器件。电子器件被置于两个衬底之间，其中的至少一个衬底具有一个用于容纳所述电子器件的空腔。随后，两个衬底被结合在一起，并用密封介质对它们进行气密密封。密封介质对衬底的粘附力，特别是当两个衬底中的一个为陶瓷时，可通过对该衬底的表面施加一个金属化层而得到改善。
- 专利分类
