[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，实现非易失性半导体存储器件的存储单元的微型化。在构成非易失性半导体存储器件的半导体衬底(1)的主面上隔着第1栅绝缘膜(4)形成有多个浮栅(7)。在各浮栅(7)的一个邻接侧形成有辅助栅(9)，上述辅助栅(9)隔着第3栅绝缘膜(6)形成在半导体衬底(1)的主面上。而且，在各浮栅(7)的另一邻接侧形成有沟(Tr1)，在该沟(Tr1)的底部侧形成有n型扩散层(3)。该非易失性半导体存储器件的数据线，由在对辅助栅(9)施加了所希望的电压时形成在与该辅助栅(9)相对的半导体衬底(1)的主面部分的反型层、和上述n型扩散层(3)构成。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：具有由场效应晶体管构成的存储单元，上述场效应晶体管，包括第1栅电极，隔着第1栅绝缘膜形成在第1导电型半导体衬底上；第2栅电极，隔着第2栅绝缘膜形成在上述第1栅电极上；第3栅电极，隔着第3栅绝缘膜形成在上述半导体衬底上；以及第2导电型扩散层，形成在形成于上述半导体衬底的沟的底部侧，上述第2栅电极构成字线，上述扩散层构成数据线。