[发明专利]晶体管型铁电存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610161862.8 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1979898A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;小西晃雄 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有新型结构的晶体管型铁电存储器。晶体管型铁电存储器(100)包括：基板(10)；在上述基板(10)的上方形成的栅电极(20)；在上述基板(10)的上方形成的覆盖上述栅电极(20)的铁电层(30)；在上述铁电层(30)的上方形成的源电极(40)；在上述铁电层(30)的上方形成的位于和上述源电极(40)分离位置的漏电极(42)；以及在上述铁电层(30)的上方形成的位于上述源电极(40)和上述漏电极(42)之间位置的沟道层(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 型铁电 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管型铁电存储器，包括：源电极；同所述源电极分离形成的漏电极；在所述源电极和所述漏电极区之间形成的沟道层；连接所述源电极、所述漏电极及所述沟道层而形成的铁电层；以及与所述源电极、所述漏电极及所述沟道层隔着所述铁电层而形成的栅电极。
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