[发明专利]只读存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610157512.4 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202312A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/112;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8246;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种只读存储器。该只读存储器包括一半导体层、一电极和一设置在该电极与该半导体层之间的隔离层，该隔离层包括在该半导体层表面依次设置的一第一绝缘层、一载流子存储层和一第二绝缘层，且该载流子存储层包括多层具有界面陷阱的薄膜层。该只读存储器有效增加电荷陷阱，提高电路设计和信号处理的灵活性。本发明同时提供了一种该只读存储器的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种只读存储器，其包括一半导体层、一电极和一设置在该电极与该半导体层之间的隔离层，该隔离层包括在该半导体层表面依次设置的一第一绝缘层、一载流子存储层和一第二绝缘层，其特征在于：该载流子存储层包括多层具有界面陷阱的薄膜层。
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