[发明专利]晶片以及晶片切割和分割方法有效
| 申请号： | 200610148542.9 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1967816A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 田村宗生;大庭浩美 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78;B23K26/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 穿过顶表面将激光束施加到晶片的内部，从而在多层改进区组中形成改进区。改进区组层中的一层中的改进区的间隔不同于改进区组层中的另一层中的改进区的间隔，与改进区组层中的所述一层相比改进区组层中的所述另一层更接近于晶片的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 以及 切割 分割 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片，包括，在所述晶片的相对的第一和第二表面之间在深度方向上相继设置多层改进区组，其中所述多层改进区组中的每一层包括多个改进区，在平行于所述晶片的所述第一和第二表面的方向上以相应的恒定间隔设置所述多个改进区；所述多层改进区组中的一层中的所述改进区的间隔不同于所述多层改进区组中的另一层中的所述改进区的间隔，与所述多层改进区组中的所述一层相比，所述多层改进区组中的所述另一层更接近于所述晶片的所述第一表面；通过来自激光束的多光子吸收来形成所述多层改进区组中的每一层中的每个改进区，通过穿过所述晶片的所述第一表面将所述激光束聚焦到所述晶片内部的相应焦点上而使所述来自激光束的多光子吸收发生；以及沿着所述晶片的预定切割线设置所述多层改进区组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610148542.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
