[发明专利]半导体处理系统和气化器

摘要

半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气。第二气化部通过气化一次水蒸气中的雾，从第一次水蒸气生成处理用水蒸气。第二气化部包含由配置为在第一气化部和处理室之间横穿所述一次水蒸气的通路的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。

主权项

1.一种半导体处理系统，其特征在于，包括：收容被处理基板的处理室；在所述处理室内支承所述被处理基板的支承部件；排出所述处理室内的气体的排气系统；和将水蒸气供给所述处理室内的气体供给系统，所述气体供给系统包括用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置，其中，所述气体生成装置包括：通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气的第一气化部；和包含通过气化所述一次水蒸气中的雾，从所述一次水蒸气生成处理用的水蒸气的第二气化部，其中，所述第二气化部包括以在所述第一气化部和所述处理室之间横切所述一次水蒸气的通路的方式配置的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。