[发明专利]非易失性存储器及其制造方法与操作方法无效
| 申请号： | 200610143309.1 | 申请日： | 2006-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101174653A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈世宪;郭兆玮;毕嘉慧;刘应励 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器，具有设置于基底上的存储器单元。基底中具有沟槽。存储器单元具有第一栅极、第二栅极、电荷储存层、第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。第一栅极设置在沟槽中。第二栅极设置于沟槽一侧的基底上。电荷储存层设置于第一栅极与基底之间及第二栅极与基底之间。第一源极/漏极区设置在沟槽底部的基底中。第二源极/漏极区设置于第二栅极一侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：基底，该基底中具有沟槽；第一存储器单元，设置于该基底上，该第一存储器单元包括：第一栅极，设置于该沟槽中；第二栅极，设置于该沟槽一侧的该基底上；电荷储存层，延伸设置于该第一栅极与该基底之间及该第二栅极与该基底之间；第一源极/漏极区，设置于该沟槽底部的该基底中；以及第二源极/漏极区，设置于该第二栅极一侧的基底中。
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