[发明专利]基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法有效
| 申请号： | 200610105132.6 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1971943A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 郝跃;张进程;陈军峰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/737;H01L33/00;H01L21/335;H01L21/331;H01L21/20 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法。主要解决现有GaN器件尺寸小、电学性能差、热导率低等问题。其方法是：首先在Si片上制作掩埋氧化层BOX及表层硅SOL形成绝缘层上的硅SOI结构；再在SOL上外延生长SiC材料层；接着在SiC材料层上通过外延方法制作AlN或GaN缓冲层；接着在该缓冲层上外延生长GaN器件结构层；最后将SiC材料下面的SOI结构剥离掉，形成基于自支撑SiC的GaN器件。该GaN器件自下而上依次由SiC自支撑层、缓冲层、GaN器件结构层组成。本发明具有能够提高器件散热能力和出光效率、降低器件制作成本的优点，可用于进行HBT、HEMT、LED等器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 支撑 sic gan 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN器件，包括缓冲层，GaN器件结构层，其特征在于缓冲层的下面是一层自支撑的SiC层，构成该GaN器件的三层结构。
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