[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610084720.6 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1866396A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 金原旭成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种常规电压下不加长字线激活时间而用低电压也能高速执行写入运作的半导体存储器件。具有：由2个NMOS晶体管(MN5、MN6)构成并将其各自的源极连接到接地电位且一晶体管(MN5)的漏极连接一条位线(BIT)而另一晶体管(MN6)的漏极连接另一条位线(NBIT)的写入电路(101)；以及产生写入数据(DI)的反相数据与写入用列选择信号(CW)的逻辑积(NDCW)并将该逻辑积(NDCW)输入到一晶体管(MN5)的栅极而且产生写入数据(DI)与写入用列选择信号(CW)的逻辑积(DCW)并将该逻辑积(DCW)输入到第1晶体管(MN6)的栅极的列选择和数据输入电路(102)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器件，具有：配置成栅格状的多个存储单元；激活所述各存储单元的字线；以及一对连接所述各存储单元的位线，其特征在于，包含由2个N型晶体管构成并将其各自的源极连接到接地电位，而且一N型晶体管的漏极连接一条位线，而另一N型晶体管的漏极连接另一条位线的写入电路；以及产生写入数据的反相数据与写入用列选择信号的逻辑积，并将该逻辑积输入到所述一N型晶体管的栅极，而且产生所述写入数据与所述写入用列选择信号的逻辑积，并将该逻辑积输入到所述另一N型晶体管的栅极的列选择和数据输入电路。
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