[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610081878.8 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1870300A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 曾根努 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种结型场效应晶体管，具备：第1导电型半导体层(11)；第2导电型半导体层(12)，其设置在第1导电型半导体层(11)上；元件形成区域，其设置在第2导电型半导体层(12)上；和护圈区域(19)，其包围元件形成区域。护圈区域(19)，具有绝缘分离层：其贯通第2导电型半导体层(12)、并到达第1导电型半导体层(11)的表面；且在绝缘分离层的侧面设置了第1导电型半导体层(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种结型场效应晶体管，具备：第1导电型半导体层；第2导电型半导体层，其设置在所述第1导电型半导体层上；元件形成区域，其设置在所述第2导电型半导体层上；和护圈区域，其包围所述元件形成区域；所述护圈区域具有绝缘分离层，其贯通所述第2导电型半导体层，并到达所述第1导电型半导体层的表面；在所述绝缘分离层的侧面设置了第1导电型半导体层。
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